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长高电气取得立开式隔离开关合闸锁定装置专利，操作方便
国家知识产权局信息显示，长高电气集团股份公司;湖南长高高压开关有限公司取得一项名为“一种立开式隔离开关合闸的锁定装置及隔离开关”的专利，授权公告号CN22463...
炎黄绿色低碳科技取得微型环境空气质量监测装置专利，能够实现监测传感器组的自动快速切换
国家知识产权局信息显示，炎黄绿色低碳科技（山东）有限公司取得一项名为“一种微型环境空气质量监测装置”的专利，授权公告号CN224636504U，申请日期为202...
电云维取得绝缘性阻容分离漏电电流互感器专利，使标签纸的更换操作更便捷
国家知识产权局信息显示，电云维（北京）科技有限公司取得一项名为“一种绝缘性阻容分离漏电电流互感器”的专利，授权公告号CN224636588U，申请日期为2025...
青岛浦泽海洋取得抗污损温盐深传感器专利，确保传感器主体在检测过程中位置稳定、角度精准
国家知识产权局信息显示，青岛浦泽海洋科技有限公司取得一项名为“一种抗污损温盐深传感器”的专利，授权公告号CN224636051U，申请日期为2025年8月。 专...
重庆金华汽车申请远程电子离合控制装置及方法专利，实现整车正常换挡行驶
国家知识产权局信息显示，重庆金华汽车制动器有限公司申请一项名为“一种远程电子离合控制装置及方法”的专利，公开号CN122560687A，申请日期为2026年7月...
竞陆电子申请AI高速存储高多层印制电路板制作方法专利，铆钉件铆合后不会突出于电路板
国家知识产权局信息显示，竞陆电子（昆山）有限公司申请一项名为“AI高速存储高多层印制电路板的制作方法”的专利，公开号CN122579502A，申请日期为2026...
内蒙古大全半导体取得电子级多晶硅蚀刻速率预测方法专利
国家知识产权局信息显示，内蒙古大全半导体有限公司取得一项名为“一种电子级多晶硅清洗过程中的蚀刻速率预测方法”的专利，授权公告号CN122421710B，申请日期...
3M中国申请可电子束固化的生物基导电组合物专利，适配5G高频低干扰需求
国家知识产权局信息显示，3M中国有限公司申请一项名为“可电子束固化的生物基导电组合物、生物基导电胶带、其制备方法与用途”的专利，公开号CN122563510A，...
山本光电取得喷漆治具专利，保证产品一致性
国家知识产权局信息显示，深圳市山本光电股份有限公司取得一项名为“喷漆治具”的专利，授权公告号CN224629166U，申请日期为2025年8月。 专利摘要显示，...
长江电力取得大电流套管芯体工装架专利，可完成套管芯体的装夹
国家知识产权局信息显示，中国长江电力股份有限公司;南京电气高压套管有限公司取得一项名为“一种大电流套管芯体工装架”的专利，授权公告号CN224630264U，申...
ASML申请用于光刻设备的直接致动的图案形成装置专利，促使进行掩模版的用于半导体光刻的非接触式精确移动
国家知识产权局信息显示，ASML荷兰有限公司申请一项名为“用于光刻设备的直接致动的图案形成装置”的专利，公开号CN122580614A，申请日期为2024年12...
存储芯片概念涨2.27%，主力资金净流入这些股
截至8月14日收盘，存储芯片概念上涨2.27%，位居概念板块涨幅第8，板块内，172股上涨，阿莱德20%涨停，盈新发展涨停，蓝箭电子、联芸科技、麦捷科技等涨幅居...
科易成新材料申请用于多层微流控芯片的注塑一体化模具及成型方法专利，解决了在多层微流控芯片的热压键合过程中由于压头与芯片接触面不完全平行导致键合压力加载时产生水平方向分力使已经精确对准的上层芯片相对于下层芯片发生微米级的相对滑移的技术问题
国家知识产权局信息显示，广州市科易成新材料有限公司申请一项名为“一种用于多层微流控芯片的注塑一体化模具及成型方法”的专利，公开号CN122560320A，申请日...
万向钱潮取得电机过流保护电路专利
国家知识产权局信息显示，万向钱潮股份公司;浙江万向精工有限公司取得一项名为“一种电机过流保护电路”的专利，授权公告号CN122315579B，申请日期为2026...
山东国科电力取得接地导通电阻测试仪检定装置用导线收纳缠绕结构专利，防止在转运该装置时导线散落
国家知识产权局信息显示，山东国科电力检验检测有限公司取得一项名为“一种接地导通电阻测试仪检定装置用导线收纳缠绕结构”的专利，授权公告号CN224632995U，...
远浦电气取得大小电流集成板对板连接器专利，大幅提升功能集成度
国家知识产权局信息显示，浙江远浦电气有限公司取得一项名为“一种大小电流集成板对板连接器”的专利，授权公告号CN224637557U，申请日期为2025年9月。 ...
充电宝大电流负载开关 MOS 选什么？｜PDFN33 低压功率管应用
选型 FAQ Q1：LS30N087AJ 是什么 MOS，耐压电流规格？ A：无锡曜硅 LS30N087AJ 是 30V N 沟道沟槽功率 MOS，PDFN3×...
宏发五峰取得薄膜电容器双接地结构专利，更有利于回路中的干扰信号从系统中排出
国家知识产权局信息显示，浙江宏发五峰电容器有限公司取得一项名为“一种薄膜电容器接地结构及薄膜电容器”的专利，授权公告号CN224637080U，申请日期为202...