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新能达申请接地检测电路及方法专利，检测接地故障
国家知识产权局信息显示，厦门新能达科技有限公司申请一项名为“接地检测电路及方法、三相储能变流器及其故障检测方法”的专利，公开号CN121633917A，申请日期...
科林热电申请基于多传感器融合的电力巡检机器人巡检方法及系统专利，电力设备故障的精准识别
国家知识产权局信息显示，呼和浩特科林热电有限责任公司申请一项名为“一种基于多传感器融合的电力巡检机器人巡检方法及系统”的专利，公开号CN121640232A，申...
魔门塔申请车道宽度计算方法专利，不需要使用电子地图
国家知识产权局信息显示，魔门塔（苏州）科技有限公司申请一项名为“车道宽度计算方法、装置、设备及存储介质”的专利，公开号CN121626138A，申请日期为202...
哈曼贝克申请传感器数据融合小芯片架构专利，用于数据融合
国家知识产权局信息显示，哈曼贝克自动系统股份有限公司申请一项名为“传感器数据融合小芯片架构”的专利，公开号CN121638153A，申请日期为2025年8月。 ...
意法半导体取得微电子装置专利，与第二连接端子形成电连接
国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司取得一项名为“微电子装置”的专利，授权公告号CN223987376U，申请日期为2025年1月。 专利摘要显示，本公开...
漫步者科技申请音效调整方法、系统、电子设备及存储介质专利，提升了音效调整效果
国家知识产权局信息显示，东莞市漫步者科技有限公司申请一项名为“一种音效调整方法、系统、电子设备及存储介质”的专利，公开号CN121635837A，申请日期为20...
002213，加码嵌入式存储器布局
在全球存储行业景气度持续攀升的背景下，大为股份（002213）正加速其在半导体存储领域的布局。 3月10日晚间，大为股份公告称，拟以简易程序向特定对象发行股票募...
封测龙头长电科技临港工厂投产：面向汽车电子与机器人应用
3月10日，长电科技旗下面向汽车电子与机器人应用的芯片封测工厂——长电科技汽车电子（上海）有限公司（JSAC）在中国（上海）自由贸易试验区临港新片区举行启用仪式...
苏州亿麦矽申请基于金属凸点结构的三维大容量电感结构及制作方法专利，高电感值
国家知识产权局信息显示，苏州亿麦矽半导体技术有限公司申请一项名为“一种基于金属凸点结构的三维大容量电感结构及制作方法”的专利，公开号CN121641654A，申...
2026地质版高中通用技术选择性必修3《工程设计基础》电子课本
为了让大家做好课前预习和巩固复习，下面为大家准备了2026地质版高中通用技术选择性必修3《工程设计基础》电子课本，大家可以在线浏览图片版，也可以下载高清PDF版...
晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法、高压MOS器件”
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法、高压MOS器件”，专利申请号为CN202...
谷歌发布首个原生多模态嵌入模型Gemini Embedding 2
3月10日，谷歌DeepMind推出Gemini Embedding 2，这是该公司首个原生多模态嵌入模型，将文本、图像、视频、音频及文档统一映射至单一嵌入空间...
巨江电源取得铅酸蓄电池多角度振动试验辅助装置专利，可以调节电池检测的角度
国家知识产权局信息显示，巨江电源集团股份有限公司取得一项名为“用于铅酸蓄电池多角度振动试验的辅助装置”的专利，授权公告号CN223985836U，申请日期为20...
优迈申请电机电流采样方法和系统专利，解决高精度与低延时无法兼顾问题
国家知识产权局信息显示，杭州优迈科技有限公司申请一项名为“一种电机电流的采样方法和系统”的专利，公开号CN121643549A，申请日期为2025年11月。 专...
健信超导（688805）3月10日主力资金净卖出598.97万元
证券之星消息，截至2026年3月10日收盘，健信超导(688805)报收于46.3元，上涨5.68%，换手率8.46%，成交量2.67万手，成交额1.22亿元。...
博世申请DC/DC转换器系统及控制方法专利，使多个DC/DC转换器的总输出电压趋向于总目标电压
国家知识产权局信息显示，罗伯特·博世有限公司申请一项名为“DC/DC转换器系统和用于控制多个DC/DC转换器的方法”的专利，公开号CN121643481A，申请...
中微半导体申请电源馈入组件及溅射沉积设备专利，保证了电源馈入均匀性
国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种电源馈入组件、罩体、上电极装置及溅射沉积设备”的专利，公开号CN121629343A...
格力电器获得发明专利授权：“半导体结构及其制作方法”
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示格力电器（000651）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制作方法”，专利申请号为CN20241188379...