中微半导体申请电源馈入组件及溅射沉积设备专利，保证了电源馈入均匀性_资讯

中微半导体申请电源馈入组件及溅射沉积设备专利，保证了电源馈入均匀性

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2026-03-11 10:05:19

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国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种电源馈入组件、罩体、上电极装置及溅射沉积设备”的专利，公开号CN121629343A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种电源馈入组件、罩体、上电极装置及溅射沉积设备。电源馈入组件，包括输入端和环，输入端用于电连接电源，环用于电连接靶材，以及自输入端至环形成的轴向多层环形树状导体结构，树状导体结构自输入端逐层分支出多个末端，末端电连接至环，末端在环上周向均匀分布，且自输入端至每一个末端的阻抗相等。本发明通过树状弧形电连接结构形成电源馈入组件，使电源馈入组件可由边缘区域电连接电源后，经树状弧形电连接结构沿边缘区域均匀分散至馈入环上，从而避让出中部区域的磁控管驱动结构安装空间，并保证了电源馈入均匀性。

天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本62614.5307万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目78次，财产线索方面有商标信息76条，专利信息1653条，此外企业还拥有行政许可77个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资上海电源末端设备导体组件专利罩体树状输入端

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