苏州亿麦矽申请基于金属凸点结构的三维大容量电感结构及制作方法专利，高电感值_资讯

苏州亿麦矽申请基于金属凸点结构的三维大容量电感结构及制作方法专利，高电感值

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2026-03-11 11:57:21

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国家知识产权局信息显示，苏州亿麦矽半导体技术有限公司申请一项名为“一种基于金属凸点结构的三维大容量电感结构及制作方法”的专利，公开号CN121641654A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请实施例提供一种基于金属凸点结构的三维大容量电感结构，涉及半导体封装技术领域，包括一绝缘基板；位于所述绝缘基板上的第一层导电线路；位于所述第一层导电线路之上的第二层导电线路；多个金属凸点，设置于所述第一层导电线路与第二层导电线路之间，并将两者电性连接，从而与所述第一层导电线路和第二层导电线路共同构成电流路径的三维螺旋线圈；高磁导率磁体，嵌埋于若干所述金属凸点之间以及线圈所包围的空间内；塑封层，包覆所述第一层导电线路、金属凸点及磁体，并使所述金属凸点的上表面露出以连接所述第二层导电线路。本申请提供一种高电感值、高可靠性且工艺简单的集成电感方案。

天眼查资料显示，苏州亿麦矽半导体技术有限公司，成立于2022年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1735.8709万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州亿麦矽半导体技术有限公司参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息13条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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