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精工电子打印科技取得头芯片、液体喷射头和液体喷射记录装置专利
国家知识产权局信息显示，精工电子打印科技有限公司取得一项名为“头芯片、液体喷射头和液体喷射记录装置”的专利，授权公告号CN114643783B，申请日期为202...
辰显光电取得像素驱动电路及其驱动方法、显示面板专利
国家知识产权局信息显示，成都辰显光电有限公司取得一项名为“一种像素驱动电路及其驱动方法、显示面板”的专利，授权公告号CN115547233B，申请日期为2021...
安华高科技取得包含划分在PCB各侧之间的射频(RF)开关集成电路(IC)的RF开关装置专利
国家知识产权局信息显示，安华高科技股份有限公司取得一项名为“包含划分在PCB的各侧之间的射频(RF)开关集成电路(IC)的RF开关装置”的专利，授权公告号CN1...
群创光电申请电子装置专利，具备静电防护结构
国家知识产权局信息显示，群创光电股份有限公司申请一项名为“电子装置”的专利，公开号CN121078803A，申请日期为2024年5月。 专利摘要显示，本发明提供...
MD电子申请电路板插入式连接器和电路板专利，对电导体进行电磁屏蔽
国家知识产权局信息显示，MD电子有限公司申请一项名为“电路板插入式连接器和电路板”的专利，公开号CN121076498A，申请日期为2025年8月。 专利摘要显...
南京晟芯半导体取得IGBT模块焊接工装专利，提高焊接效率
国家知识产权局信息显示，南京晟芯半导体有限公司取得一项名为“一种IGBT模块焊接工装”的专利，授权公告号CN223629788U，申请日期为2024年12月。专...
通用汽车申请具有参考电极和测量阻抗补偿电路系统的电池电气系统专利，使用数字电压信号来执行电池管理动作
国家知识产权局信息显示，通用汽车环球科技运作有限责任公司申请一项名为“具有参考电极和测量阻抗补偿电路系统的电池电气系统”的专利，公开号CN121076290A，...
联想申请电子设备专利，第一侧壁部分投影位于第一壁体区域内
国家知识产权局信息显示，联想（北京）有限公司申请一项名为“电子设备”的专利，公开号CN121078692A，申请日期为2025年8月。 专利摘要显示，本公开实施...
有竹居网络取得语音合成方法、装置、存储介质及电子设备专利
国家知识产权局信息显示，北京有竹居网络技术有限公司取得一项名为“语音合成方法、装置、存储介质及电子设备”的专利，授权公告号CN114495901B，申请日期为2...
梁文锋炒股日赚1亿，段永平直言 “没人打得过他”！
投资圈最近被一张截图炸翻了天 —— 幻方量化旗下产品收益率普遍突破 50%，把中证 500、中证 1000 指数（今年涨幅均不足 23%）远远甩在身后，相当于给...
全球AI算力军备竞赛愈演愈烈，光芯片短缺明显，相关企业业绩有望爆发
近期，美股光通信概念强势依旧，Lumentum、Coherent均创出历史新高，LightCounting预计EML和CW激光器芯片的短缺将持续至2026年底。...
鹏进高科技申请半导体器件专利，降低半导体器件的欧姆接触电阻
国家知识产权局信息显示，深圳市鹏进高科技有限公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号CN121078765A，申请日期为2025年8月。 专利摘要显示，本公...
格科半导体申请图像传感器的形成方法专利，修复晶格缺陷
国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“图像传感器的形成方法”的专利，公开号CN121078817A，申请日期为2024年5月。 专利摘...
2025年光电开关，接近开关，限位开关厂家最新推荐，快速切换响应与触发频率！
在工业 4.0 与智能制造加速推进的时代浪潮下，开关作为工业自动化、安全防护等领域的核心基础部件，其重要性不言而喻。它的性能稳定性、技术适配性与服务保障能力，直...
环旭电子（601231）12月8日主力资金净买入2.08亿元
证券之星消息，截至2025年12月8日收盘，环旭电子(601231)报收于24.77元，上涨9.99%，涨停，换手率1.98%，成交量43.62万手，成交额10...
大明电子（603376）12月8日主力资金净买入2085.00万元
证券之星消息，截至2025年12月8日收盘，大明电子(603376)报收于39.23元，上涨4.42%，换手率16.6%，成交量5.15万手，成交额1.99亿元...
无锡锡玺电子科技有限公司成立 注册资本30000万人民币
天眼查App显示，近日，无锡锡玺电子科技有限公司成立，法定代表人为恽波，注册资本30000万人民币，经营范围为一般项目：技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、...
南京盛鑫半导体等申请基于C阶梯掺杂的硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及其生长方法专利
国家知识产权局信息显示，南京盛鑫半导体材料有限公司、南京国盛电子有限公司申请一项名为“一种基于C阶梯掺杂的硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及其生长方法”...
无锡商甲半导体申请超级结半导体功率器件及其制造方法专利，提高器件耐压稳定性
国家知识产权局信息显示，无锡商甲半导体有限公司申请一项名为“超级结半导体功率器件及其制造方法”的专利，公开号CN121078771A，申请日期为2025年9月。...