国家知识产权局信息显示，南京盛鑫半导体材料有限公司、南京国盛电子有限公司申请一项名为“一种基于C阶梯掺杂的硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及其生长方法”的专利，公开号CN121078751A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明公开了一种基于C阶梯掺杂的硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及其生长方法，所述外延结构包括从下至上依次层叠的硅衬底、AlN缓冲层、阶梯AlGaN应力释放层、GaN晶种铺垫粗化层、GaN外延层、第一AlN插入层、第一C掺杂GaN层、第二AlN插入层、第二C掺杂GaN层、第三AlN插入层、无掺杂GaN沟道层、第四AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN电容层；所述第一C掺杂GaN层包括从下至上依次层叠的多个第一C掺杂单元层，所述多个第一C掺杂单元层的C掺杂浓度从下至上依次递增；所述第二C掺杂GaN层包括从下至上依次层叠的多个第二C掺杂单元层，所述多个第二C掺杂单元层的C掺杂浓度从下至上依次递增，且任一第二C掺杂单元层的C掺杂浓度高于任一第一C掺杂单元层的C掺杂浓度。

天眼查资料显示，南京盛鑫半导体材料有限公司，成立于2021年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本60000万人民币。通过天眼查大数据分析，南京盛鑫半导体材料有限公司参与招投标项目93次，专利信息27条，此外企业还拥有行政许可48个。

南京国盛电子有限公司，成立于2003年，位于南京市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本20779.2934万人民币。通过天眼查大数据分析，南京国盛电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目29次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息73条，此外企业还拥有行政许可208个。

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