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鹏进高科技申请半导体器件专利，降低半导体器件的欧姆接触电阻

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2025-12-09 09:07:50

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国家知识产权局信息显示，深圳市鹏进高科技有限公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号CN121078765A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，用于降低半导体器件的欧姆接触电阻；半导体器件包括：衬底、外延层、第一掺杂部、第二掺杂部和欧姆接触层；外延层设于衬底的一侧，外延层包括碳化硅外延层；第一掺杂部嵌入外延层远离衬底的表面；第二掺杂部嵌入外延层远离衬底的表面，且第二掺杂部环绕第一掺杂部；第一掺杂部为P型掺杂，第二掺杂部为N型掺杂；欧姆接触层包括第一子部和第二子部，第一子部设于第一掺杂部远离衬底的表面；第二子部设于第二掺杂部远离衬底的表面，第一子部和第二子部均包含碳；其中，欧姆接触层的材料包括金属硅化物，且，第二子部中硅的摩尔百分比，大于，第一子部中硅的摩尔百分比。上述半导体器件应用于芯片中。

天眼查资料显示，深圳市鹏进高科技有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本210800万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鹏进高科技有限公司参与招投标项目16次，财产线索方面有商标信息17条，专利信息3条，此外企业还拥有行政许可96个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示子部投资高科技深圳市电阻外延包括专利欧姆器件半导体衬底杂部

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