格科半导体申请图像传感器的形成方法专利，修复晶格缺陷_资讯

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2025-12-09 08:38:41

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国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“图像传感器的形成方法”的专利，公开号CN121078817A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本发明公开了一种图像传感器的形成方法，包括：提供衬底；刻蚀所述衬底形成浅沟槽；在所述浅沟槽表面形成衬垫层；对所述衬底进行热处理，以修复晶格缺陷和减少所述浅沟槽开口区域引起的尖端放电；通过沉积介质层填充所述浅沟槽，形成浅沟槽隔离结构。

天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本700000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息129条，此外企业还拥有行政许可90个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示投资沟槽上海图像传感器导体专利浅沟槽半导体格科图像传感器衬底

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