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济南迈威智能申请报文重组方法专利,保障跨芯片数据传输稳定性

国家知识产权局信息显示,济南迈威智能科技有限公司申请一项名为“一种报文重组方法、装置、设备及介质”的专利,公开号CN121547414A,申请日期为2025年1...

别再以为科技只是新手机!它正在悄悄重塑你的生活和工作

科学技术已然渗透至我们日常生活的每一处角落,然而许多人对于它的认知依旧停留在“新的产品”或者“手机以及电脑”之上。在我的看法当中,科学技术的实质,实际上便是我们...

徐工电气申请智能PDU控制方法及其电路专利,提高系统的容错性和运维灵活性

国家知识产权局信息显示,徐州徐工电气技术有限公司申请一项名为“一种智能PDU控制方法及其电路”的专利,公开号CN121536164A,申请日期为2025年12月...

普瑞光电申请发光装置及其制造方法专利,提升氟化物荧光粉的激发效率

国家知识产权局信息显示,普瑞光电(厦门)股份有限公司申请一项名为“发光装置和发光装置的制造方法”的专利,公开号CN121548156A,申请日期为2025年1月...

中芯集成电路申请滤波器的形成方法专利,简化了生产流程

国家知识产权局信息显示,中芯集成电路(宁波)有限公司申请一项名为“一种滤波器的形成方法”的专利,公开号CN121547011A,申请日期为2025年11月。 专...

LG伊诺特申请电子装置散热结构专利,提升散热效率

国家知识产权局信息显示,LG伊诺特有限公司申请一项名为“电子装置”的专利,公开号CN121549067A,申请日期为2024年6月。 专利摘要显示,电子装置包括...

东莞市创铭电子科技有限公司:PC薄膜开关、按键薄膜开关及薄膜感应开关技术先驱者

薄膜开关行业应用与技术革新:东莞市创铭电子科技有限公司的多元解决方案 在电子设备智能化升级的浪潮中,薄膜开关作为人机交互的核心组件,正以每年12%的市场增速渗...

华力集成申请三维MIM电容器测试结构专利,提升晶圆可接受性测试的准确性

国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“三维MIM电容器的测试结构及其制备方法、测试方法”的专利,公开号CN121548278A,申请...

西电申请低自放电超级电容器电解液专利,显著提高电容器的能量利用效率

国家知识产权局信息显示,西安西电电力电容器有限责任公司、中国西电电气股份有限公司申请一项名为“一种低自放电的超级电容器电解液及其制备方法和应用”的专利,公开号C...

大华申请印制电路板组合方法专利,使得印制电路板拼板布局合理

国家知识产权局信息显示,浙江大华技术股份有限公司申请一项名为“印制电路板组合方法、装置、电子装置和存储介质”的专利,公开号CN121547976A,申请日期为2...

升达康申请IC载板弹夹式自动化装置专利,保证电路板的传输质量

国家知识产权局信息显示,深圳市升达康科技有限公司申请一项名为“一种IC载板弹夹式自动化装置”的专利,公开号CN121536709A,申请日期为2026年1月。 ...

中北大学申请PCB电机运行监测方法及系统专利,更方便且准确地判断印制电路板电机是否需要检修

国家知识产权局信息显示,中北大学;睿动(山西)科技有限公司申请一项名为“一种PCB电机的运行监测方法及系统”的专利,公开号CN121541056A,申请日期为2...

智勇电子申请电子产品测试控制方法及系统专利,确保测试的高效运行和测试数据的准确性

国家知识产权局信息显示,南通市智勇电子有限公司申请一项名为“一种用于电子产品的测试控制方法及系统”的专利,公开号CN121540977A,申请日期为2026年1...

鸿富锦精密电子取得移料装置专利,提高磁片的移料精度

国家知识产权局信息显示,鸿富锦精密电子(成都)有限公司取得一项名为“移料装置”的专利,授权公告号CN223920496U,申请日期为2025年2月。 专利摘要显...

武汉新芯申请半导体器件及其制造方法专利,可减少对电阻层的损伤

国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利,公开号CN121548296A,申请日期为2025年9月。 专...

群联CEO预警:存储短缺预计持续5年 大量消费电子企业或将倒闭

全球NAND Flash控制芯片龙头群联电子(Phison)CEO潘健成日前在媒体访谈中分析,由AI爆发所引发的 存储芯片供应危机预计将持续至2030年,而 2...

鑫华半导体申请低表面缺陷厚膜碳化硅外延片专利,外延片表面质量高、缺陷少

国家知识产权局信息显示,江苏鑫华半导体科技股份有限公司申请一项名为“低表面缺陷的厚膜碳化硅外延片及其制备方法、应用”的专利,公开号CN121548233A,申请...

芯粤能申请集成鳍式结构元胞结构专利,能够有效地提升器件的沟道迁移率并缩小芯片面积

国家知识产权局信息显示,广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“集成鳍式结构的元胞结构及其制备方法、SiC功率器件”的专利,公开号CN121548078A,申请日...

南京华鑫电力取得法兰弹性嵌入式堵漏专利,可精确判断密封胶填充程度和压力状态

国家知识产权局信息显示,南京华鑫电力科技有限公司取得一项名为“一种法兰弹性嵌入式堵漏”的专利,授权公告号CN223924172U,申请日期为2025年5月。 专...

山东力冠申请氮化物半导体HVPE用三层环形喷头结构专利,可有效减小晶圆边缘的膜厚偏差

国家知识产权局信息显示,山东力冠微电子装备有限公司申请一项名为“一种氮化物半导体HVPE用三层环形喷头结构”的专利,公开号CN121538729A,申请日期为2...

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