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国林科技：半导体专用臭氧系统设备能实现纳米级均匀氧化层形成
有投资者在互动平台向国林科技提问：“公司的半导体臭氧设备产生的臭氧能否在3D NAND存储芯片结构中形成纳米级均匀氧化层？” 针对上述提问，国林科技回应称：“尊...
两大电子信息强校PK，桂林电子科技大学和杭州电子科技大学哪个性价比更高？
数字经济蓬勃发展背景下，桂林电子科技大学与杭州电子科技大学凭借鲜明的电子信息专业特色、深厚的行业办学积淀，成为众多怀揣工科梦想高中生的重点择校对象。如何选择契合...
远距离供电电压不够怎么办,远距离用电电压低怎么办
远距离供电设备是一种用于将电能传输到远距离的设备，可以在长距离电力传输中发挥重要作用。随着人们对能源需求量的不断增加，远距离供电设备在能源领域中的应用本也文日将...
国电南自申请一种功率模组专利，减少开关损耗
国家知识产权局信息显示，南京国电南自电网自动化有限公司申请一项名为“一种功率模组”的专利，公开号CN121356368A，申请日期为2025年11月。 专利摘要...
2026年等电位检测公司机构推荐：江西普正防雷检测服务有限责任公司优选指南
在建筑和设施的安全管理中，等电位检测是确保防雷系统有效性的重要环节。选择一家专业的等电位检测公司机构，能够为建筑物和设备提供全面的雷电防护能力评估。以下是一些值...
远距离供电电压不够怎么办,远距离供电电压不够怎么办
远距离供电设备是一种用于将电能传输到远距离的设备，可以在长距离电力传输中发挥重要作用。随着人们对能源需求量的不断增加，远距离供电设备在能源领域中的应用本也文日将...
同步电子取得ATE测试板转接装置专利，提高了小型半导体芯片的测试效率
国家知识产权局信息显示，无锡市同步电子科技股份有限公司取得一项名为“一种ATE测试板的转接装置”的专利，授权公告号CN223815381U，申请日期为2024年...
创业板指涨逾1%，芯片股开盘走强
每经AI快讯，1月21日，A股指数走强，创业板指拉升涨逾1%，沪指涨0.13%，深成指涨0.50%。贵金属、半导体芯片、CPU等方向涨幅居前，沪深京三市上涨个股...
中信建投：看好配套半导体设备、封测等国内存储链投资机遇
上证报中国证券网讯（记者 闫刘梦）中信建投证券1月21日发布研报称，地缘政治摩擦为国产半导体提供了替代窗口期，华为、寒武纪、海光等新一代算力芯片性能快速提升，生...
港股半导体股多数走强，兆易创新涨超9%
每经AI快讯，1月21日，港股半导体股多数走强，截至发稿，兆易创新(03986.HK)涨9.48%、华虹半导体(01347.HK)涨4.87%、上海复旦(013...
明阳电路：1月20日融券卖出500股，融资融券余额3.73亿元
证券之星消息，1月20日，明阳电路（300739）融资买入3898.9万元，融资偿还4251.75万元，融资净卖出352.86万元，融资余额3.73亿元，近20...
华北电力大学申请新能源经直流送出系统暂态过电压抑制方法专利，提高了暂态过电压抑制的有效性
国家知识产权局信息显示，华北电力大学;国网福建省电力有限公司电力科学研究院;国网福建省电力有限公司申请一项名为“一种新能源经直流送出系统的暂态过电压抑制方法及装...
马斯克发文缺芯片，半导体设备ETF涨1.30%
截止1月21日10点33分，上证指数涨0.40%，深证成指涨1.05%，创业板指涨1.44%。 ETF方面，半导体设备ETF（561980）涨1.30%，成分股...
国人科技申请滤波器除屑装置专利，能够提升滤波器的调谐腔体的清理效率
国家知识产权局信息显示，南宁国人射频通信有限公司、广西国人科技有限公司、深圳国人科技股份有限公司申请一项名为“一种滤波器除屑装置”的专利，公开号CN121339...
华虹半导体申请应用于SGT器件制作的工艺方法专利，改善器件产品的漏电流现象
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“应用于SGT器件制作中的工艺方法”的专利，公开号CN121357931A，申请日期为2025年9...
商业航天局部反弹 电科芯片涨停
商业航天概念股局部反弹，电科芯片拉升涨停，航天电子、广联航空、雷科防务、巨力索具等纷纷冲高。消息面上，经济观察报从中国星网获悉，其法定代表人由张冬辰变更为苟坪，...
半导体设备低开高走，科创半导体ETF（588170）、半导体设备ETF华夏（562590）盘中拉升
截至9:40，上证科创板半导体材料设备主题指数强势上涨1.02%，成分股耐科装备上涨3.54%，京仪装备上涨3.51%，中微公司上涨2.99%，拓荆科技，华兴源...
科创100ETF华夏(588800)涨超1.3%，半导体芯片股强势拉升
截至2026年1月21日 10:46，上证科创板100指数(000698)强势上涨1.42%，成分股杰华特上涨14.63%，广钢气体上涨10.13%，聚辰股份上...
ASM IP申请填充衬底表面间隙专利，形成碳膜优化半导体制造工艺
国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“填充衬底表面上的间隙的方法”的专利，公开号CN121344555A，申请日期为2025年7月。...