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靠谱的UPS三端保险丝厂家实力推荐
导语：UPS三端保险丝作为电力保护系统的核心元件，其性能稳定性直接影响设备运行安全与能效。在工业自动化、数据中心等场景中，保险丝的响应速度、耐压能力及适配性直接...
瑞昱半导体申请信号接收电路专利，该第一变化方向以及该第二变化方向相反
国家知识产权局信息显示，瑞昱半导体股份有限公司申请一项名为“信号接收电路”的专利，公开号CN121618978A，申请日期为2024年8月。 专利摘要显示，本发...
比邻智联申请测试设备、测试方法及电路结构的设计方法专利，实现对待检测器件的整面测试
国家知识产权局信息显示，比邻智联（重庆）科技有限公司、中移物联网有限公司、中国移动通信集团有限公司申请一项名为“测试设备、测试方法及电路结构的设计方法”的专利，...
神州半导体申请一种可调电容校准方法及校准装置专利，保证输出精度
国家知识产权局信息显示，江苏神州半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种可调电容校准方法及校准装置”的专利，公开号CN121613375A，申请日期为2025年...
钜泉微电子取得芯片测试装置专利，单次可对更多数量的芯片进行测试
国家知识产权局信息显示，钜泉微电子（上海）有限公司取得一项名为“一种芯片测试装置”的专利，授权公告号CN223977312U，申请日期为2025年1月。 专利摘...
华为申请存储器及其操作方法专利，减少了半选中的电容受到的干扰
国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“存储器及其操作方法、集成电路和电子设备”的专利，公开号CN121617434A，申请日期为2024年8月。...
金轮辊业取得抗电阻锂电池隔膜弧形辊专利，避免隔膜表面电荷积累
国家知识产权局信息显示，江苏金轮辊业有限公司取得一项名为“一种抗电阻锂电池隔膜弧形辊”的专利，授权公告号CN223973556U，申请日期为2025年3月。 专...
经纬恒润取得电流控制电路及汽车专利，以使流向SOC的电流不会对其造成损坏
国家知识产权局信息显示，北京经纬恒润科技股份有限公司取得一项名为“一种电流控制电路及汽车”的专利，授权公告号CN223977514U，申请日期为2025年4月。...
玺加取得一种电路板组件专利，可以减少电机盒在竖直方向上的占用空间
国家知识产权局信息显示，玺加（浙江）智能技术有限公司取得一项名为“一种电路板组件”的专利，授权公告号CN223978552U，申请日期为2025年3月。 专利摘...
天合光能申请Al2O3薄层用于钙钛矿太阳能电池专利，提高电池的稳定性和光电转换效率
国家知识产权局信息显示，天合光能股份有限公司申请一项名为“Al2O3薄层和包括Al2O3薄层的钙钛矿太阳能电池和晶硅-钙钛矿叠层太阳能电池”的专利，公开号CN1...
鸣志科技取得方便维修集成控制电路的工控机专利，便于对内部的集成电路板进行维修
国家知识产权局信息显示，深圳市鸣志科技有限责任公司取得一项名为“一种方便维修集成控制电路的工控机”的专利，授权公告号CN223977528U，申请日期为2025...
华方达申请再生木方自动上料工艺专利，摒弃了现有技术中依赖独立气缸和传感器配合的复杂控制逻辑
国家知识产权局信息显示，深圳华方达节能环保材料科技有限公司申请一项名为“一种再生木方木条单条汇入成木方自动上料工艺”的专利，公开号CN121609079A，申请...
正元电子申请圆柱电池钢壳镍星清理设备专利，有效的提高了工作效率
国家知识产权局信息显示，新乡市正元电子材料有限公司申请一项名为“一种圆柱电池钢壳镍星清理设备”的专利，公开号CN121608008A，申请日期为2025年11月...
都林杉科技取得液位控制与浊度传感器专利，本申请有效解决现有技术中缺少结构简单小巧的液位控制器与浊度传感器的整合件的技术问题
国家知识产权局信息显示，都林杉科技有限公司取得一项名为“一种液位控制与浊度传感器”的专利，授权公告号CN223977118U，申请日期为2025年3月。 专利摘...
旺宏电子申请感测放大装置、存储器感测方法及存储器装置专利，产生感测信号
国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“感测放大装置、存储器感测方法及存储器装置”的专利，公开号CN121617430A，申请日期为2024年...
2026江苏好高职·优势专业|南京城市职业学院跨境电子商务专业群
学校坐落于国家级南京临空经济示范区核心，该区域是南京跨境电商综试区、自贸试验区、江北新区等重大开放平台的战略叠加区。2017年，为服务地方人才需求，学校优化数字...
览锐新材料取得电致变色调光薄膜电极结构专利，降低电阻
国家知识产权局信息显示，览锐新材料（宁波）有限公司取得一项名为“一种电致变色调光薄膜的电极结构”的专利，授权公告号CN223977479U，申请日期为2025年...
南亚科技申请包括熔丝的半导体元件及其制备方法专利，本公开提供一种半导体元件及其制备方法
国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“包括熔丝的半导体元件及其制备方法”的专利，公开号CN121620199A，申请日期为2025年3月。 ...
场效应管mos管和可控硅的区别
MOS管与可控硅差在哪：控制方式到击穿点讲透 场效应管mos管和可控硅的区别 同样是“开关器件”，为什么有的电路里用MOS管，有的却绕不开可控硅？ 更真实的困...
顺络电子申请磁性器件及其制备方法、电子设备专利，提高磁性器件性能及可靠性
国家知识产权局信息显示，东莞顺络电子有限公司申请一项名为“磁性器件及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN121617804A，申请日期为2025年12月。 ...