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存储芯片超级周期再升级，科创芯片设计ETF易方达(589030)大涨超4%，连续5日“吸金”2.40亿元
截至2026年8月17日 13:41，上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨3.83%，科创芯片设计ETF易方达(589030)上涨4.09%，盘中...
900亿元芯片巨头，预增超18倍
【导读】壁仞科技预计，2026年上半年收入将同比增长约1852%—2107% 中国基金报记者 卢鸰 8月17日早间，壁仞科技在港交所公告，预计2026年上半年收...
三安光电申请发光二极管及其制作方法专利，能有效提升发光二极管的外观良率
国家知识产权局信息显示，安徽三安光电有限公司申请一项名为“发光二极管及其制作方法、发光装置”的专利，公开号CN122581006A，申请日期为2024年2月。 ...
联发科技申请基于编解码信息分类的自适应环路滤波器专利，生成滤波后样本作为当前块重建的组成部分
国家知识产权局信息显示，联发科技股份有限公司申请一项名为“基于编解码信息分类的自适应环路滤波器”的专利，公开号CN122580857A，申请日期为2025年1月...
20cm速递|芯片产业活跃，科创芯片ETF国泰（589100）盘中上涨超3%
每经编辑：叶峰 8月17日，A股市场迎来普涨行情。截至13:02，上证指数涨幅0.82%，深证成指涨幅1.34%，创业板指表现亮眼，以1.48%的涨幅领涨两市。...
聚和材料20.01%涨停！拟5亿加码半导体材料，PCB上游涨价潮发酵
交易所数据显示，截至11时26分，聚和材料以20.01%的涨幅封上涨停，报95.68元，总市值231.58亿元，成交额21.96亿元，换手率10.45%，封板资...
中核核电申请耐高温液位开关组件专利，能够在高温环境下长期稳定工作
国家知识产权局信息显示，中核核电运行管理有限公司;秦山核电有限公司申请一项名为“一种耐高温液位开关组件”的专利，公开号CN122576030A，申请日期为202...
湖南三易精工申请双稳态磁保持继电器专利，能够避免动簧片的弯曲变形
国家知识产权局信息显示，湖南三易精工科技有限公司申请一项名为“一种双稳态磁保持继电器”的专利，公开号CN122576036A，申请日期为2026年6月。 专利摘...
硬氪首发 | 机器人力传感器企业完成数亿元D轮融资，广汽领投、红杉押注，市占率超70%
硬氪获悉，近日国内机器人力传感器企业蓝点触控完成数亿元人民币D轮融资。本轮融资由广汽集团旗下广汽资本领投，德业股份及曦晨资本跟投。融资将主要用于新一代机器人力传...
消费电子板块走强，消电ETF国泰（561310）涨逾2%
8月17日，A股市场午后延续涨势，三大指数集体上涨。截至13:00，上证指数涨幅0.85%，深证成指涨幅1.27%，创业板指表现尤为突出，上涨1.35%。在此背...
中铁十一局申请脚手架监控系统传感器布置方法专利，能够实现监测效果最大化、布设成本最小化的平衡
国家知识产权局信息显示，中铁十一局集团有限公司;中铁十一局集团建筑安装工程有限公司;中铁十一局集团建设发展有限公司申请一项名为“一种脚手架监控系统中的传感器布置...
能峡科技申请低功耗多媒体视觉处理集成电路功耗控制方法专利，显著降低集成电路功耗
国家知识产权局信息显示，上海能峡科技有限公司申请一项名为“一种低功耗多媒体视觉处理集成电路的功耗控制方法”的专利，公开号CN122569718A，申请日期为20...
浙江创芯集成电路申请光学邻近修正模型的建立方法专利，能够有效改善有源区边界区域的修正精度
国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“光学邻近修正模型的建立方法及相关设备”的专利，公开号CN122568868A，申请日期为2026年...
电子树脂：需求爆发式增长，高端化进程加速
作者/浩海投研 星空下的烤包子 最近一段时间，半导体材料板块中有一个细分赛道格外引人注目，那就是#电子树脂。 半导体行业以外的朋友可能会对这个词感到陌生。简单...
A股电子、机械设备板块，涨停潮！
今天（8月17日）上午A股市场上行，科创板和创业板表现相对较好，市场多数股票上涨。 电子板块出现涨停潮，成为上午A股市场表现最佳的板块之一。 个股方面，长鑫科技...
机器人力传感器龙头完成数亿元D轮融资，广汽领投、德业股份跟投
近日，国内机器人力传感器领军企业、六维力传感器龙头蓝点触控，宣布完成数亿元人民币D轮融资。本轮融资由广汽集团旗下广汽资本领投，德业股份及曦晨资本跟投。融资将主要...
新一代电子茅台！iPhone Ultra首批备货十分紧张：产能远低于直板机
快科技8月17日消息，据博主定焦数码爆料，苹果首款折叠屏iPhone Ultra的首批备货十分紧张，产能远低于普通直板iPhone。 按1000万备货量的爆料信...
平伟半导体申请双工艺MOSFET并联缓启动电路专利，显著降低系统稳态导通损耗和发热
国家知识产权局信息显示，重庆平伟半导体股份有限公司申请一项名为“一种采用双工艺MOSFET并联的缓启动电路及控制方法”的专利，公开号CN122577595A，申...