平伟半导体申请双工艺MOSFET并联缓启动电路专利，显著降低系统稳态导通损耗和发热_资讯

平伟半导体申请双工艺MOSFET并联缓启动电路专利，显著降低系统稳态导通损耗和发热

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2026-08-17 12:24:15

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国家知识产权局信息显示，重庆平伟半导体股份有限公司申请一项名为“一种采用双工艺MOSFET并联的缓启动电路及控制方法”的专利，公开号CN122577595A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明公开一种采用双工艺MOSFET并联的缓启动电路及控制方法，所述电路包括两种不同制造工艺的MOSFET并联使用，系统中包含第一Planar-MOSFET和第二SGT-MOSFET、栅极驱动电路以及检测与控制电路。所述方法包括：缓启动阶段，控制Planar-MOSFET工作于可变电阻区，利用其宽安全工作区特性限制对输入电容的冲击电流；稳态阶段，状态检测控制电路监测到第一MOSFET驱动栅压达到设定阈值时，控制第二SGT-MOSFET完全导通，利用其低导通电阻特性承担主要负载电流。本发明通过两种工艺MOSFET的优势互补与分时控制，解决了传统缓启动电路在可靠性（SOA）与效率（Rds(on)）之间的矛盾，在确保上电安全性的同时，显著降低了系统稳态导通损耗和发热。

天眼查资料显示，重庆平伟半导体股份有限公司，成立于2007年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本16618.7556万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆平伟半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目33次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息254条，此外企业还拥有行政许可55个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业稳态投资控制电路并联平伟 Planar-MOSFET 工艺专利导通重庆

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