长飞先进半导体申请半导体器件及其制备方法专利，提升半导体器件的可靠性_资讯

长飞先进半导体申请半导体器件及其制备方法专利，提升半导体器件的可靠性

创始人

2026-09-05 19:26:31

0次

国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、晶圆、功率模块、功率转换电路、车辆”的专利，公开号CN122699616A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制备方法、晶圆、功率模块、功率转换电路、车辆。半导体器件包括元胞区和环绕元胞区的终端区；终端区包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；第二绝缘层，位于第一表面；栅极引出部，位于所述第二绝缘层远离所述半导体本体的一侧；第一绝缘层，覆盖部分栅极引出部，第一绝缘层上形成有栅极接触孔，栅极接触孔暴露栅极引出部的部分表面；隔离结构，位于栅极接触孔内，并将栅极接触孔分割为至少两个子接触孔。本发明能够提升半导体器件的可靠性。

天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目44次，专利信息150条，此外企业还拥有行政许可77个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示先进半导体栅极投资表面绝缘层武汉专利器件半导体元胞区

上一篇：原创帮主复盘｜公募 27.24% 仓位押注半导体，创纪录的 “抱团” 还能走多远？

下一篇：泰则半导体申请加速卡资源监控管理方法专利，提升加速卡集群的运维效率和故障定位效率

长飞先进半导体申请半导体器件及其制备方法专利，提升半导体器件的可靠性

相关内容

热门资讯