章阁仪器申请存储器及其制备方法专利,提高存储器的存储密度
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2026-03-17 00:43:25
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国家知识产权局信息显示,深圳市章阁仪器有限公司申请一项名为“存储器及其制备方法”的专利,公开号CN121665581A,申请日期为2025年12月。

专利摘要显示,本公开提供了一种存储器及其制备方法,包括:步骤S1、提供基底,基底包括衬底、第一堆叠层以及第二堆叠层,第一堆叠层包括多层层叠的第一牺牲层和位于相邻两第一牺牲层之间的第一隔离层,第二堆叠层包括层叠的两层第二隔离层以及位于两第二隔离层之间的第二牺牲层;步骤S2、经第一侧形成第一通孔,第一通孔贯穿第一堆叠层和第二堆叠层,在第一通孔内形成导电柱和半导体材料层,导电柱贯穿第一堆叠层,半导体材料层贯穿第二牺牲层,导电柱与半导体材料层相接且相接的表面位于第二牺牲层和第一堆叠层之间;步骤S3、替换第一牺牲层为存储膜层以及被存储膜层包覆的导电线,替换第二牺牲层为栅极选择线。本公开可提高存储器的存储密度。

天眼查资料显示,深圳市章阁仪器有限公司,成立于2022年,位于深圳市,是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析,深圳市章阁仪器有限公司参与招投标项目27次,专利信息20条,此外企业还拥有行政许可191个。

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来源:市场资讯

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