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扬明光学取得投影光机专利
国家知识产权局信息显示，扬明光学股份有限公司取得一项名为“投影光机”的专利，授权公告号CN115963680B，申请日期为2021年10月。 声明：市场有风险，...
朋熙半导体由控股股东彭海荣持股46%，彭泽慧担任董事长
瑞财经 吴文婷近日，上海朋熙半导体股份有限公司（以下简称“朋熙半导体”）启动IPO。 本次IPO的辅导机构为国泰海通证券股份有限公司，律师事务所为国浩律师(上...
股票行情快报：正泰电源（002150）2月24日主力资金净买入739.18万元
证券之星消息，截至2026年2月24日收盘，正泰电源(002150)报收于28.67元，上涨0.95%，换手率4.34%，成交量15.56万手，成交额4.49亿...
茂硕电源：截至2026年2月13日，公司股东人数约为3万多户
证券之星消息，茂硕电源(002660)02月24日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者：请问最新一期公司的股东人数是多少？ 茂硕电源董秘：您好！截至...
江苏顺源取得航空电源箱散热通风结构专利，利于反向自动除尘兼顾散热和防尘需求
国家知识产权局信息显示，江苏顺源航空零部件有限公司取得一项名为“一种航空电源箱的散热通风结构”的专利，授权公告号CN223943036U，申请日期为2025年2...
中冶北方申请胶带机托辊状态电位法分析系统专利，实现全自动检测无需人工干预
国家知识产权局信息显示，中冶北方（大连）工程技术有限公司申请一项名为“一种胶带机托辊状态电位法分析系统”的专利，公开号CN121553615A，申请日期为202...
从亏5000万到赚3个亿，南网电源：告别亏损，难别“大股东依赖”
是拐点，还是喘息？ 作者 | 白猫 编辑 | 小白 年初，一份业绩预告让南网能源（003035.SZ）的投资者稍微松了一口气。 经历了2024年的亏损阴霾后，...
粤芯半导体申请掩膜组及量测标记结构专利，避免造成晶圆的刻蚀穿透
国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“一种掩膜组、量测标记结构、形成方法及尺寸量测方法”的专利，公开号CN121559807A，申请日...
瑞萨电子高级驾驶辅助系统SoC已应用于丰田新款车型
瑞萨电子2月24日宣布，公司面向 ADAS的车规级片上系统R-Car V4H，已被应用于丰田汽车全新RAV4车型的TSS控制单元。R-Car V4H为高阶ADA...
中颖电子申请测试IO口饱和电流方法专利，可准确获得IO口饱和电流
国家知识产权局信息显示，合肥中颖电子有限公司申请一项名为“一种测试IO口饱和电流的方法”的专利，公开号CN121559137A，申请日期为2025年12月。 专...
积塔半导体取得LDMOS器件及其制备方法专利
国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司取得一项名为“LDMOS器件及其制备方法”的专利，授权公告号CN114883266B，申请日期为2022年3月。 ...
半导体板块2月24日涨0%，优迅股份领涨，主力资金净流入21.96亿元
证券之星消息，2月24日半导体板块较上一交易日上涨0.0%，优迅股份领涨。当日上证指数报收于4117.41，上涨0.87%。深证成指报收于14291.57，上涨...
炎黄国芯取得基于高压线性稳压器的过流保护方法及系统专利
国家知识产权局信息显示，北京炎黄国芯科技有限公司取得一项名为“基于高压线性稳压器的过流保护方法及系统”的专利，授权公告号CN121187409B，申请日期为20...
半导体板块表现分化，材料与设备领域走强，半导体设备ETF易方达(159558)等产品受资金关注
截至收盘，中证半导体材料设备主题指数上涨0.8%，中证芯片产业指数上涨0.4%，上证科创板芯片指数下跌0.4%，上证科创板芯片设计主题指数下跌0.9%。Wind...
无锡金源半导体取得陶瓷盘成型模具修补用干补泥专利
国家知识产权局信息显示，无锡金源半导体科技有限公司取得一项名为“一种陶瓷盘成型模具修补用干补泥及其制备方法和应用”的专利，授权公告号CN121248307B，申...
跌幅榜丨同类跌幅最小！科创芯片ETF汇添富（588750）仅跌0.3%
2月24日，科创芯片ETF汇添富（588750）报收1.778元，收跌0.28%，成交金额1.2亿元。同类基金中跌幅最小。 科创芯片ETF汇添富成立于2024...
涨幅榜丨同类涨幅第一！芯片ETF易方达（516350）仅涨0.4%
2月24日，芯片ETF易方达（516350）报收1.346元，收涨0.45%，成交金额4957.4万元。同类基金中涨幅第一。 芯片ETF易方达成立于2021年...
中科无线半导体取得GaN HEMT/MOSFET单片集成级联器件专利
国家知识产权局信息显示，中科（深圳）无线半导体有限公司取得一项名为“一种GaN HEMT/MOSFET单片集成级联器件及其制备方法”的专利，授权公告号CN121...