南亚科技申请半导体装置专利，包括具有倒梯形剖面轮廓的通道层
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2026-05-10 02:26:35
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN122002792A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本申请公开一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括一基板；定位在该基板上的一通道层，沿着垂直于该基板的一顶部表面的一第一方向延伸，并包括一倒梯形剖面轮廓；以及一字线，该字线包括一字线介电层和一字线导电层，该字线介电层一致地和侧向地环绕该通道层，该字线导电层侧向地和部分地环绕该字线介电层，沿着平行于该基板的一顶部表面的一第二方向延伸，并包括一倒梯形剖面轮廓。
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来源：市场资讯
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