中芯京城申请存储器结构及其形成方法专利,改善了衬底漏电的问题
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2026-05-10 03:56:15
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国家知识产权局信息显示,中芯京城集成电路制造(北京)有限公司、北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“存储器结构及其形成方法”的专利,公开号CN122002813A,申请日期为2024年11月。

专利摘要显示,一种存储器结构及其形成方法,方法包括:对衬底进行掺杂处理,形成位于衬底内的字线掺杂层;对位于字线掺杂层上的衬底或衬底表面的外延层进行掺杂处理,形成位于字线掺杂层上的二极管材料层;对衬底、字线掺杂层以及二极管材料层进行刻蚀,形成若干隔离开口,隔离开口暴露出隔离区的衬底;对隔离开口暴露出的衬底进行掺杂处理,在隔离区内形成隔离掺杂区。衬底漏电时,字线掺杂层与隔离掺杂区的衬底形成反向偏压PN结,将漏电电流截止,改善了衬底漏电的问题;并且,隔离开口的深度较小,降低了刻蚀隔离开口的工艺难度;此外,存储器结构不需要较大改动即可实现更高密度的集成,字线掺杂层操控的二极管单元的数量增多,提升了存储器结构的性能。

天眼查资料显示,中芯京城集成电路制造(北京)有限公司,成立于2020年,位于北京市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯京城集成电路制造(北京)有限公司参与招投标项目43次,专利信息31条,此外企业还拥有行政许可246个。

北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司,成立于2017年,位于北京市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析,北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目23次,财产线索方面有商标信息7条,专利信息633条,此外企业还拥有行政许可125个。

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,成立于2000年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目119次,财产线索方面有商标信息221条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可480个。

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来源:市场资讯

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