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通用电器技术取得用于电压源转换器的链式链路模块改进专利

国家知识产权局信息显示,通用电器技术有限公司取得一项名为“用于电压源转换器的链式链路模块中或与其相关的改进”的专利,授权公告号CN114982120B,申请日期...

西安交通大学申请输电线电压非接触型测量方法与装置专利,能够适用于高电位端监测

国家知识产权局信息显示,西安交通大学;华电陕西能源有限公司申请一项名为“一种输电线电压的非接触型测量方法与装置”的专利,公开号CN121431928A,申请日期...

新启航半导体取得激光能量调节装置专利

国家知识产权局信息显示,新启航半导体有限公司取得一项名为“激光能量调节装置”的专利,授权公告号CN119674675B,申请日期为2024年11月。 天眼查资料...

荣耀申请芯片封装结构及电子设备专利,使得芯片封装结构整体在厚度、散热、信号传输等方面均取得收益

国家知识产权局信息显示,荣耀终端股份有限公司申请一项名为“芯片封装结构及电子设备”的专利,公开号CN121444608A,申请日期为2023年12月。 专利摘要...

常州科瑞尔取得芯片生产用贴合机构及其贴合方法专利

国家知识产权局信息显示,常州科瑞尔科技有限公司取得一项名为“芯片生产用贴合机构及其贴合方法”的专利,授权公告号CN120998827B,申请日期为2025年10...

港股芯片股盘初走低,上海复旦跌超6%

钛媒体App 2月4日消息,港股芯片股盘初走低,上海复旦跌超6%,华虹半导体跌逾4%,兆易创新、中芯国际跌近3%。(科股宝播报)

炬豪半导体取得多区多光谱检测装置专利

国家知识产权局信息显示,上海炬豪半导体有限公司取得一项名为“多区多光谱检测装置及其检测方法、电子设备”的专利,授权公告号CN115389018B,申请日期为20...

高负电位镁合金牺牲阳极

高负电位镁合金牺牲阳极是一种通过电化学原理为金属结构提供阴极保护的防腐材料,其核心特性在于具有较高的开路电位(通常为-1.75V至-1.85V CSE),能够提...

广盈电力申请拓扑时序协同的配电网多储能电压控制方法专利,有效平抑电压波动

国家知识产权局信息显示,无锡市广盈电力设计有限公司申请一项名为“一种拓扑时序协同的配电网多储能电压控制方法及系统”的专利,公开号CN121440579A,申请日...

力源海纳取得脉冲电源专利,提高其稳定性和可靠性

国家知识产权局信息显示,江西力源海纳科技股份有限公司取得一项名为“一种脉冲电源”的专利,授权公告号CN223872195U,申请日期为2025年2月。 专利摘要...

芯陶微电子申请合金粉体浆料及LTCC合金膜片专利,可提升电源模块的电流输出能力

国家知识产权局信息显示,广东芯陶微电子有限公司申请一项名为“合金粉体浆料、LTCC合金膜片及电源模块”的专利,公开号CN121439319A,申请日期为2025...

厦门拓宝取得单相工频变压器偏磁电流检测电路专利,能准确检测偏磁电流

国家知识产权局信息显示,厦门拓宝科技有限公司取得一项名为“单相工频变压器偏磁电流检测电路”的专利,授权公告号CN223870729U,申请日期为2024年12月...

半导体设备板块早盘震荡,指数几度翻红,半导体设备ETF易方达(159558)受资金关注

截至午间收盘,中证云计算与大数据主题指数下跌4.3%,中证芯片产业指数下跌2.8%,中证半导体材料设备主题指数下跌1.0%。Wind数据显示,截至昨日,半导体设...

全柔性人工智能芯片兼具轻薄低成本和高能效等优势

据报道,近日,清华大学科研团队合作提出全柔性人工智能芯片FLEXI——面向边缘智能加速的柔性数字存内计算芯片,填补了柔性电子技术领域的空白,为人工智能应用提供了...

中兴微电子申请用于控制目标对象的电流斜率专利,提高了处理效率

国家知识产权局信息显示,深圳市中兴微电子技术有限公司申请一项名为“用于控制目标对象的电流斜率的方法、装置和电子设备”的专利,公开号CN121433421A,申请...

日井泵业取得流量开关组装结构专利,有效减少泵头加工工序

国家知识产权局信息显示,浙江日井泵业股份有限公司取得一项名为“流量开关组装结构”的专利,授权公告号CN223868235U,申请日期为2025年3月。 专利摘要...

润诚机电取得电动车用开关电源专利,操作方便实用性强适合推广

国家知识产权局信息显示,安徽润诚机电有限公司取得一项名为“一种电动车用开关电源”的专利,授权公告号CN223865026U,申请日期为2025年3月。 专利摘要...

北欧半导体取得总线解码器专利

国家知识产权局信息显示,北欧半导体公司取得一项名为“总线解码器”的专利,授权公告号CN115374041B,申请日期为2022年5月。 声明:市场有风险,投资需...

中芯国际申请半导体结构的形成方法专利,降低形成第二凹槽的工艺复杂度

国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利,公开号CN121442718A,申请日期为2024年7月...

宝钢湛江钢铁取得高电压双路馈电天车滑触线导轨中间绝缘联接方法专利

国家知识产权局信息显示,宝钢湛江钢铁有限公司取得一项名为“一种高电压双路馈电天车滑触线导轨中间绝缘联接方法”的专利,授权公告号CN119898690B,申请日期...

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