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算力租赁板块持续走高，利通电子涨停
每经AI快讯，2月27日，算力租赁板块持续走高，利通电子涨停，云天励飞涨超15%，顺网科技、首都在线涨超10%，城地香江、网宿科技、宏景科技跟涨。
微玖光电取得改善AlGaInP红光Micro LED侧壁刻蚀损伤专利
国家知识产权局信息显示，微玖（苏州）光电科技有限公司取得一项名为“一种改善AlGaInP红光Micro LED侧壁刻蚀损伤的方法”的专利，授权公告号CN1210...
菲斯洛克电子取得便携式多功能AI赋能电子对抗系统专利
国家知识产权局信息显示，成都菲斯洛克电子技术有限公司取得一项名为“一种便携式多功能AI赋能电子对抗系统”的专利，授权公告号CN120979596B，申请日期为2...
原创 疯狂的“电子茅台”：价格暴涨10倍，有商家称“年入百万”
又一“电子茅台”盯上中产钱包。 日前，一则名为#多款相机价格暴涨近10倍#的话题登上热搜，一位网友发现自己6年前花2459元买的佳能卡片相机，如今价格涨至400...
胜高技术取得减少以太网双绞线开绞引起串扰的网络插座PCB结构专利，提升了信号传输质量
国家知识产权局信息显示，广东胜高技术股份有限公司取得一项名为“一种减少以太网双绞线开绞引起串扰的网络插座的PCB结构”的专利，授权公告号CN223957702U...
芯片制造重大突破？阿斯麦下一代EUV已能用于大规模量产 造价翻倍！
据报道，全球光刻机龙头阿斯麦（ASML）的一位高管最新表示，其下一代芯片制造设备已准备就绪，可以供应芯片制造商用于大规模量产，这对芯片行业来说是一个重大进展。 ...
远景动力取得二次电池专利改善壳体电阻问题
国家知识产权局信息显示，远景动力技术（江苏）有限公司、远景睿泰动力技术（上海）有限公司取得一项名为“二次电池、电池组及电子装置”的专利，授权公告号CN22395...
恒泽辅汇取得基于FPGA的多传感器数据高效采集与分析处理专利
国家知识产权局信息显示，上海恒泽辅汇智能科技有限公司取得一项名为“基于FPGA的多传感器数据高效采集与分析处理方法及系统”的专利，授权公告号CN12130207...
明益信取得半自动芯片计数贴标装置专利，提高了生产效率
国家知识产权局信息显示，明益信（江苏）智能设备有限公司取得一项名为“一种半自动芯片计数贴标装置”的专利，授权公告号CN223957937U，申请日期为2025年...
国产新型血流感染诊断芯片问世：成本仅30元，已完成初步临床验证
IT之家 2 月 27 日消息，据三湘都市报 2 月 26 日报道，国际顶级期刊《Analytical Chemistry》（分析化学）发表了一项来自中国的里程...
AI发展驶入“回归商业本质”阶段，国产芯片迎“推理机遇”
春节期间，算力产业链新闻不断。OpenAI“大幅下调”算力投资，引发广泛关注和讨论；Meta与英伟达达成一项价值数十亿美元的芯片采购协议；Taalas芯片的异军...
杭州速利科技取得单相异步电机软启动用电容器固定安装结构专利，实现电容器的快速固定安装和接地安装
国家知识产权局信息显示，杭州速利科技有限公司取得一项名为“一种单相异步电机软启动用电容器固定安装结构”的专利，授权公告号CN223956451U，申请日期为20...
广州金朋科技申请PLC专用限幅电路专利，调节PLC信号的信噪比
国家知识产权局信息显示，广州金朋科技有限公司申请一项名为“一种PLC专用限幅电路”的专利，公开号CN121585117A，申请日期为2025年11月。 专利摘要...
中安辰鸿取得芯片验证数据优化方法专利
国家知识产权局信息显示，深圳中安辰鸿技术有限公司取得一项名为“芯片验证数据的优化方法、芯片验证数据系统及设备”的专利，授权公告号CN121255602B，申请日...
良信电器取得开关单元及隔离开关专利提升灭弧能力
国家知识产权局信息显示，上海良信电器股份有限公司取得一项名为“一种开关单元、隔离开关及供电系统”的专利，授权公告号CN115064402B，申请日期为2022年...
电子布概念持续调整 宏和科技跌停
人民财讯2月27日电，电子布概念持续调整，宏和科技跌停，国际复材跌超10%，长海股份、中材科技、中国巨石、山东玻纤跟跌。
科威电力取得便于拆卸的配电柜开关结构专利，方便了维修者的拆卸
国家知识产权局信息显示，邹城市科威电力设备制造有限公司取得一项名为“一种便于拆卸的配电柜开关结构”的专利，授权公告号CN223957119U，申请日期为2025...
英伟达财报引爆AI硬件需求！CPO、PCB、液冷，哪些赛道最受益？
2月25日英伟达披露2026财年Q4财报，单季营收681亿美元、净利429.6亿美元，三项核心数据均创历史新高且远超分析师预期，同时下季营收指引及新架构芯片进展...
北京集成电路装备创新中心申请氮化硅薄膜制造方法专利，显著降低薄膜裂纹效应
国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“氮化硅薄膜、半导体器件的制造方法及半导体工艺设备”的专利，公开号CN121575371A，...
强一半导体申请单组份低流平性低固化收缩环氧电子胶制备方法专利，满足高密度微型化电子封装性能要求
国家知识产权局信息显示，强一半导体（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种单组份低流平性低固化收缩环氧电子胶的制备方法”的专利，公开号CN121574685A，申...