迪普微视申请半导体晶圆检测用落射式暗场照明显微成像系统及方法专利,能实现半导体晶圆表面缺陷的高对比度暗场显微成像检测
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2026-08-19 17:50:42
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国家知识产权局信息显示,无锡迪普微视科技有限公司申请一项名为“半导体晶圆检测用落射式暗场照明显微成像系统及方法”的专利,公开号CN122591693A,申请日期为2026年5月。

专利摘要显示,本发明涉及半导体检测技术领域,公开了半导体晶圆检测用落射式暗场照明显微成像系统及方法,包括:载物台,明场光源模块,暗场光源模块,包括沿中空环形布局对称排列的12个准直LED子光源,构建出12条互不干扰、方向明确的独立照明路径;中空锥透镜,采用中心中空结构,所述锥透镜上表面为平面、下表面为锥面;照明控制模块,实现至少三种可灵活切换的暗场照明模式;脉冲驱动模块,以及自动对焦模块和XY位移台,用于完成自动对焦和视场切换。本发明能实现半导体晶圆表面不同类型、尺寸、取向缺陷的高对比度、高信噪比、高效率暗场显微成像检测。

天眼查资料显示,无锡迪普微视科技有限公司,成立于2024年,位于无锡市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本400万人民币。通过天眼查大数据分析,无锡迪普微视科技有限公司参与招投标项目2次,财产线索方面有商标信息3条,专利信息10条,此外企业还拥有行政许可1个。

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来源:市场资讯

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