格科半导体申请改善栅极倒塌工艺方法专利，有效改善栅极倒塌的问题_资讯

格科半导体申请改善栅极倒塌工艺方法专利，有效改善栅极倒塌的问题

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2026-09-08 17:35:02

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国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种改善栅极倒塌的工艺方法”的专利，公开号CN122719368A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明提供了一种改善栅极倒塌的工艺方法，至少包含以下步骤：步骤S1，提供一衬底，衬底上设有栅极，在栅极表面设有光刻胶并形成光刻胶图案以暴露出轻掺杂区域；步骤S2，采用第一射频功率、第一压力、第一混合气体和第一温度刻蚀光刻胶的表层；步骤S3，采用第二射频功率、第二压力、第二混合气体和第二温度刻蚀剩余的光刻胶；第一射频功率小于第二射频功率；第一压力大于第二压力；第一混合气体和第二混合气体均为含氧气体和氮氢混合气，第一混合气体中含氧气体和氮氢混合气的流量比例小于第二混合气体中含氧气体和氮氢混合气的流量比例；第一温度小于第二温度。采用本发明的方法可以显著减少对栅极区域的损伤，有效改善栅极倒塌的问题。

天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本700000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目22次，专利信息186条，此外企业还拥有行政许可112个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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