京东方华灿光电申请发光二极管及制作方法专利，将多个外延结构依次隔离_资讯

京东方华灿光电申请发光二极管及制作方法专利，将多个外延结构依次隔离

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2026-09-05 19:23:44

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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管及制作方法”的专利，公开号CN122699453A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及制作方法。发光二极管包括：多个外延结构、多个隔离槽和一次电极；外延结构包括第一半导体层、第二半导体层和位于第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；多个外延结构依次排列，外延结构均包括至少一个刻蚀孔；多个隔离槽将多个外延结构依次隔离；位于发光二极管边缘侧的至少一个外延结构的刻蚀孔和一个隔离槽之间被联通；位于发光二极管边缘侧的外延结构之间的外延结构的刻蚀孔和隔离槽之间被隔离；一次电极包括多个第一电极和多个第二电极，多个第一电极分别与多个外延结构的第二半导体层电连接，多个第二电极分别与多个外延结构的第一半导体层电连接。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目54次，专利信息1098条，此外企业还拥有行政许可45个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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