天津三安光电申请发光二极管及发光装置专利,能够防止Ag析出进而防止因此出现的漏电等可靠性问题
创始人
2026-08-20 13:26:19
0

国家知识产权局信息显示,天津三安光电有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利,公开号CN122602709A,申请日期为2026年4月。

专利摘要显示,本申请提供了一种发光二极管及发光装置,发光二极管的金属反射层的外围设置有包覆层,金属反射层向发光二极管的边缘延伸形成拖尾结构,并且拖尾结构向发光二极管边缘的延伸不超过包覆层的边缘,该设置使得金属反射层完全被包裹,当金属反射层中含有Ag时,能够防止Ag析出进而防止因此出现的漏电等可靠性问题。金属反射层被完全包裹,其结构不会被破坏,反射效果得以保证,进而能够提高发光二极管的出光效果。另外,金属反射层形成拖尾结构,使得金属反射层上方的包覆层具有良好的覆盖效果,提高相邻层结构之间的粘附效果。并且该拖尾结构有利于键合时金属的填充,提高键合效果进一步提高发光二极管的可靠性和稳定性。

天眼查资料显示,天津三安光电有限公司,成立于2008年,位于天津市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本60000万人民币。通过天眼查大数据分析,天津三安光电有限公司参与招投标项目26次,专利信息345条,此外企业还拥有行政许可46个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

相关内容

热门资讯

谷歌牵手Marvell扩军TP... 谷歌(GOOGL.O)找到了新的TPU(张量处理器,一种专用集成电路)合作伙伴。 据Marvell(...
航天科技招标结果:【产品】DI... 证券之星消息,根据天眼查APP-财产线索数据整理,航天科技控股集团股份有限公司8月17日发布《【产品...
中国电子学会理事长徐晓兰:具身... 新京报贝壳财经讯(记者程子姣)8月19日,在2026世界机器人大会上,中国电子学会理事长徐晓兰发表主...
积塔半导体申请隔离结构制备方法... 国家知识产权局信息显示,上海积塔半导体有限公司申请一项名为“隔离结构的制备方法、半导体结构及半导体器...
中微信息申请软复位重试方法专利... 国家知识产权局信息显示,深圳市中微信息技术有限公司申请一项名为“一种软复位重试方法”的专利,公开号C...
半导体设备龙头净利增三倍拟扩产... 8月19日晚,半导体设备龙头中微公司披露2026年半年度报告,上半年营业收入约66.91亿元,同比增...
每日科创|鼎阳科技(68811... 在电子产业链的宏大叙事里,芯片设计、光刻工艺、操作系统屡屡占据C位,但很少有人留意到一类“幕后工具人...
茂硕电源:2026年上半年实现... 以8月19日收盘价计算,茂硕电源目前市盈率(TTM)约为-10.81倍,市净率(LF)约2.63倍,...
科创半导体ETF华夏:8月19... 证券之星消息,8月19日,科创半导体ETF华夏(588170)融资买入6.46亿元,融资偿还7.62...
小鹏汽车申请分级保护电路专利,... 国家知识产权局信息显示,广州小鹏汽车科技有限公司申请一项名为“分级保护电路、供电系统以及移动设备”的...