积塔半导体申请隔离结构制备方法专利，避免内部孔隙的产生_资讯

积塔半导体申请隔离结构制备方法专利，避免内部孔隙的产生

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2026-08-20 14:20:26

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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“隔离结构的制备方法、半导体结构及半导体器件”的专利，公开号CN122602558A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请涉及一种隔离结构的制备方法、半导体结构及半导体器件，方法包括：提供衬底；衬底内包括间隔排列的隔离沟槽，隔离沟槽内填充有氧化物层；对氧化物层执行N次退火修复工艺，以获得内部无孔隙的隔离结构；其中，N为整数且大于1，执行第i次退火修复工艺包括：依次在含氧及氢的水汽氛围、氮气氛围下，对氧化物层执行退火处理，使得氧化物层致密化；向具有预设温度的腔室内，通入含氨及一氧化二氮的混合气体，完成孔隙处氧空位的填补，以及悬挂键的修复；孔隙在致密化氧化物层的工艺步骤中，因氧化物层受热收缩产生。至少能够提高深宽比浅沟槽隔离结构的形成质量，避免内部孔隙的产生。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1707499.4119万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2130次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1424条，此外企业还拥有行政许可206个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资上海隔离氧化物导体孔隙结构专利半导体衬底

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