铠侠申请半导体存储装置及其制造方法专利，能够抑制存储单元阵列的裂纹
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2026-08-20 12:51:06
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置及其制造方法”的专利，公开号CN122602505A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，提供一种能够抑制存储单元阵列的裂纹的半导体存储装置及其制造方法。本实施方式的半导体存储装置具备：第一层叠体，在第一方向上逐层地交替层叠多个第一导电层与多个第一绝缘层而成；柱，包含沿所述第一方向在所述第一层叠体内延伸的半导体层；第一材料层，设置在狭缝内，所述狭缝在所述第一方向上贯通所述第一层叠体内，且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；第二导电层，设置在所述狭缝的一端侧；以及第二材料层，从所述狭缝的所述一端设置在所述第一材料层内，在与所述第二方向正交的第一剖面中，所述第一材料层及所述第二材料层的侧壁具有相互向相反方向倾斜的锥形。
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来源：市场资讯
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