华虹宏力申请新型静电保护器件结构专利，降低静电保护结构的触发电压_资讯

华虹宏力申请新型静电保护器件结构专利，降低静电保护结构的触发电压

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2026-08-20 12:52:13

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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“新型静电保护器件结构”的专利，公开号CN122602577A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明公开了一种新型静电保护器件结构由N阱和P阱构成，N阱和P阱相邻排列且二者侧面之间留有间距；N阱中包含有第一N型扩散区和靠P阱更近的第一P型扩散区，P阱中包含有第二P型扩散区和靠N阱更近的第二N型扩散区；N阱和P阱之间横跨有混合扩散区，其内包含有多个N型注入区以及多个P型注入区，P型注入区和N型注入区都横跨N阱和P阱，P型注入区和N型注入区呈交错不重叠排布，且相邻的P型注入区和N型注入区之间的间距相等。本发明通过调整P型注入区和N型注入区之间的间距可以实现降低静电保护结构的触发电压的效果，以满足静电保护结构低触发电压的应用需求，提高器件的抗静电能力。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目934次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7901条，此外企业还拥有行政许可464个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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