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长鑫科技获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”

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2026-07-11 23:24:14

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长鑫科技（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202310913015.6，授权日为2026年7月3日。

专利摘要：本公开提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决字线结构电阻大的技术问题，该半导体结构包括衬底和多条字线结构；衬底包括间隔设置的多个有源结构；多条字线结构沿第一方向间隔设置衬底内；每条字线结构沿第二方向延伸，并连接沿第二方向排布的多个有源结构；每条字线结构包括阻挡层和导电层，阻挡层设置在衬底与导电层之间，并至少覆盖在导电层的部分外周面上，其中，阻挡层与导电层的底面相对区域的厚度，大于阻挡层与导电层的侧面相对区域的厚度；第一方向与第二方向相交。本公开既可以降低字线结构的电阻，也可以降低甚至避免发生栅诱导漏极泄露电流。

今年以来长鑫科技新获得专利授权6个。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了95.93亿元，同比增108.22%。

通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1087次；财产线索方面有商标信息398条，专利信息704条，著作权信息23条；此外企业还拥有行政许可39个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。

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