长江存储申请半导体结构及其制备方法、存储系统专利，改善相邻晶体管中的控制栅极层易发生耦合的问题_资讯

长江存储申请半导体结构及其制备方法、存储系统专利，改善相邻晶体管中的控制栅极层易发生耦合的问题

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2026-07-11 23:23:53

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN122373330A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善相邻晶体管中的控制栅极层易发生耦合的问题。该半导体结构包括：半导体柱、第一栅极层、第二栅极层、电容结构和第一介质层。半导体柱沿第一方向延伸。第一栅极层和第二栅极层分别位于半导体柱沿第二方向的两侧。电容结构与半导体柱沿第一方向的一端连接。第一介质层位于第一栅极层沿第一方向的一端，第一介质层相较于第一栅极层更靠近电容结构，第一介质层内具有第一间隙，第一间隙与第二栅极层在第二方向上有交叠。而第一间隙的介电常数小于第一栅极层的介电常数，则在第一间隙所在的位置，第二栅极层不易与其他导电结构耦合。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1453次，财产线索方面有商标信息1026条，专利信息6140条，此外企业还拥有行政许可1009个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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