真芯半导体取得半导体存储器结构及接触孔填充方法专利_资讯

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2026-05-27 00:07:32

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国家知识产权局信息显示，真芯（北京）半导体有限责任公司取得一项名为“一种半导体存储器结构及接触孔中填充导电材料的方法”的专利，授权公告号CN114695264B，申请日期为2020年12月。

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来源：市场资讯

孔中导电市场投资导体真芯结构需谨慎专利北京公告号半导体半导体存储器

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