长江存储申请存储器器件及其制造方法、系统专利，该存储器器件包括交替堆叠的多个栅极层和多个电介质层_资讯

长江存储申请存储器器件及其制造方法、系统专利，该存储器器件包括交替堆叠的多个栅极层和多个电介质层

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2026-05-27 00:07:01

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“存储器器件及其制造方法、系统”的专利，公开号CN122094111A，申请日期为2022年5月。

专利摘要显示，本发明提供了一种存储器器件及其制造方法、系统。该存储器器件包括：堆叠层，包括交替堆叠的多个栅极层和多个电介质层；多个接触结构，所述多个接触结构中的每个接触结构穿过所述堆叠层并分别与各自预定深度的栅极层接触，其中每一栅极层与至少两个接触结构接触；多个绝缘层，包围所述多个接触结构的侧壁，以将所述多个结构与被所述多个接触结构贯穿的栅极层之间电隔离；以及一个或多个栅极隔槽，延伸通过所述堆叠层。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1440次，财产线索方面有商标信息1026条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1007个。

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来源：市场资讯

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