南亚科技申请半导体结构及其制造方法专利，有利于缩小半导体结构尺寸
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2026-03-24 02:07:21
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121711991A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，半导体结构包括半导体基板、位元线结构以及位元线间隔物。位元线结构设置于半导体基板上。位元线间隔物覆盖位元线结构，其中位元线间隔物包括SiCO层、绝缘氧化物层以及绝缘氮化物层。SiCO层覆盖位元线结构，其中SiCO层的氧浓度等于或大于55at％。绝缘氧化物层覆盖SiCO层。绝缘氮化物层覆盖绝缘氧化物层。由于SiCO层具有高氧浓度，可形成具低介电常数且高密度的薄SiCO层，有利于缩小半导体结构尺寸，并降低阻容延迟。
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