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浙江创芯申请半导体结构及其制备方法和电子器件专利，具备更高的栅控能力

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2026-03-18 04:10:56

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国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法和电子器件”的专利，公开号CN121692712A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体结构及其制备方法和电子器件，该半导体结构包括：衬底；位于衬底上的沟道层；位于沟道层上第一区域的极性栅极；其中，极性栅极的第一栅极介质层为第一介质材料；位于沟道层上第二区域的控制栅极；其中，控制栅极的第二栅极介质层为第二介质材料；第一介质材料不同于第二介质材料；位于衬底上的两个有源区；其中，每个有源区均为掺杂区；位于有源区上的复合隔离层。其有益效果在于，该结构具备更高的栅控能力以及电流驱动能力，从而解决了相关技术中RFET存在的阈值电压高、导电能力差、工艺复杂及性能不稳定等多重局限性。

天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本214766.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目276次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息585条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示电子器件栅极投资导体创芯结构专利有源区介质沟道层衬底

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