国星半导体申请高抗水解LED外延片及其制备方法专利，可以有效改善LED的抗水解能力_资讯

国星半导体申请高抗水解LED外延片及其制备方法专利，可以有效改善LED的抗水解能力

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2026-03-14 23:34:33

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国家知识产权局信息显示，佛山市国星半导体技术有限公司申请一项名为“高抗水解LED外延片及其制备方法”的专利，公开号CN121665786A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种高抗水解LED外延片及其制备方法，所述高抗水解LED外延片包括衬底和依次层叠于所述衬底上的缓冲层、3D GaN层、U型GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，所述U型GaN层包括依次层叠的第一U型GaN层、低温InGaN插入层、U型GaN过渡层和第二U型GaN层。实施本发明，可以有效改善LED的抗水解能力。

天眼查资料显示，佛山市国星半导体技术有限公司，成立于2011年，位于佛山市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本82000万人民币。通过天眼查大数据分析，佛山市国星半导体技术有限公司参与招投标项目533次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息449条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示投资国星天眼佛山市外延导体专利 U型衬底延片 GaN层

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