长飞先进半导体申请半导体器件及制造方法专利，提高沟槽栅极栅氧化层的耐压能力_资讯

长飞先进半导体申请半导体器件及制造方法专利，提高沟槽栅极栅氧化层的耐压能力

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2026-03-14 23:33:27

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国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN121665607A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该制造方法包括：提供半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；在半导体本体形成阱区和第一区域，第一区域位于第一表面，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧；在第一表面形成栅极沟槽；对半导体本体进行一次离子注入形成第三子区域，之后进行二次离子注入形成第二区域；第二区域和第三子区域位于栅极沟槽的底部，且第二区域的位置与第三子区域的位置相同，一次离子注入的注入离子导电类型与二次离子注入的注入离子导电类型相反；在栅极沟槽内形成栅极。本申请实施例可提高沟槽栅极栅氧化层的耐压能力，提高半导体器件的可靠性。

天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目38次，专利信息117条，此外企业还拥有行政许可62个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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