南亚科技申请具有凹陷导电插塞和凹陷通道层的存储器元件专利，具有凹陷导电插塞和凹陷通道层
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2026-03-11 19:46:15
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有凹陷导电插塞和凹陷通道层的存储器元件及其制备方法”的专利，公开号CN121645854A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本公开提供一种具有凹陷导电插塞和凹陷通道层的存储器元件及其制备方法。存储器元件，包括一电容器，设置在一半导体基底上；以及一导电插塞，位在该电容器上方。该导电插塞具有一第一个凹陷上表面。该存储器元件亦包括一通道层，设置在该导电插塞上方。该通道层具有一第二凹陷上表面。该存储器元件还包括一位元线，设置在该通道层上方；以及一字元线，设置在该导电插塞与该位元线之间。
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