长江存储申请存储器器件及其形成方法专利，导电层与选择栅极线接触_资讯

长江存储申请存储器器件及其形成方法专利，导电层与选择栅极线接触

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2026-03-11 19:45:35

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“存储器器件及其形成方法”的专利，公开号CN121647040A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，一种存储器器件包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括多条栅极线和选择栅极线；沿第一方向延伸穿过多条栅极线的第一沟道结构；设置在第一沟道结构和选择栅极线上并沿垂直于第一方向的第二方向延伸的电介质层；以及设置在电介质层中的导电层，并且导电层与选择栅极线接触。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1430次，财产线索方面有商标信息976条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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