宜普电源转换公司申请具有多厚度前势垒的GaN晶体管专利，可逐渐增加沟道中的2DEG密度
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2026-01-11 01:08:20
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国家知识产权局信息显示，宜普电源转换公司申请一项名为“具有多厚度前势垒的GaN晶体管”的专利，公开号CN121312273A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，一种氮化镓（GaN）晶体管，其包括多层/多厚度势垒层，该势垒层由栅极（22）和漏极（20）之间逐渐增加厚度的区段（40、42、44、46）形成，以逐渐增加从栅极到漏极的沟道中的2DEG密度。GaN栅极（26）可以形成在基部势垒层（16）上，以产生具有正阈值电压的增强模式器件。通过在势垒层的较厚区段上方形成栅极，可以产生具有较小的正阈值电压的GaN晶体管，或者具有负阈值电压的耗尽模式晶体管。
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