立国芯取得集成芯片结构专利，提高散热效果延长使用寿命_资讯

立国芯取得集成芯片结构专利，提高散热效果延长使用寿命

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2026-06-19 11:16:23

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国家知识产权局信息显示，山东立国芯电子科技有限公司取得一项名为“一种集成芯片结构”的专利，授权公告号CN224386124U，申请日期为2025年5月。

专利摘要显示，本实用新型涉及集成电路封装技术领域，具体涉及一种集成芯片结构。该集成芯片结构包括主控芯片、开关管、氮化镓功率芯片、引线框架和塑封体，开关管分别与主控芯片、氮化镓功率芯片电性连接，主控芯片用于输出PWM信号并通过PWM信号驱动开关管产生负电压，负电压用于驱动氮化镓功率芯片进行导通和断开，引线框架包括相互电气隔离的第一基岛、第二基岛和第三基岛，主控芯片设置在第一基岛上，开关管设置在第二基岛上，氮化镓功率芯片设置在第三基岛上，第一基岛、第二基岛和第三基岛封装在塑封体内，且第三基岛上背向氮化镓功率芯片的一侧至少部分外露于塑封体设置。本申请可以提高散热效果，延长集成芯片结构整体的使用寿命。

天眼查资料显示，山东立国芯电子科技有限公司，成立于2022年，位于吉安市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本921.052632万人民币。通过天眼查大数据分析，山东立国芯电子科技有限公司共对外投资了2家企业，专利信息12条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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