士兰半导体取得功率模组专利,防止信号端子的根部在振动载荷下断裂
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2026-06-19 11:17:30
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国家知识产权局信息显示,成都士兰半导体制造有限公司取得一项名为“功率模组”的专利,授权公告号CN224386139U,申请日期为2025年5月。

专利摘要显示,本实用新型实施例公开了一种功率模组,该功率模组包括第二基板以及至少一个功率模块。功率模块包括:第一基板、功率器件、塑封体、第一功率端、第二功率端、信号端子以及限位结构,塑封体包覆第一基板和功率器件,第一功率端、第二功率端和信号端子与功率器件电连接,信号端子的根部由塑封体内伸出,限位结构设置于信号端子的根部以限制信号端子的位移,限位结构包括:绝缘的限位座和绝缘胶体,限位座包括侧挡部,侧挡部围绕信号端子的根部,侧挡部形成包围结构并形成第二开口,绝缘胶体从第二开口处覆盖信号端子的根部,绝缘胶体位于侧挡部形成的包围结构之内。功率模组能够防止信号端子的根部在振动载荷下断裂。

天眼查资料显示,成都士兰半导体制造有限公司,成立于2010年,位于成都市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本316969.7万人民币。通过天眼查大数据分析,成都士兰半导体制造有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目38次,专利信息52条,此外企业还拥有行政许可181个。

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来源:市场资讯

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