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康尼新能取得充电接口专利，实现整个插头的电流控制工作
国家知识产权局信息显示，南京康尼新能源汽车零部件有限公司取得一项名为“一种充电接口”的专利，授权公告号CN223858603U，申请日期为2025年3月。 专利...
北京君正：公司存储芯片、计算芯片部分产品陆续调价
北京君正1月30日在互动平台表示，公司 存储芯片、计算芯片部分产品陆续调价，不同的产品规格、不同的客户调整幅度不同。
阳光电源：争取在2026年实现产品的落地和小规模的交付
证券之星消息，阳光电源(300274)01月30日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提问：请问；公司致力于35KV固态变压器技术上已有约十年的预研...
美的申请适于不同电压的电加热控制方法专利，使空调器能够兼容不同电压的市电
国家知识产权局信息显示，佛山市顺德区美的电子科技有限公司;广东美的制冷设备有限公司申请一项名为“适于不同电压的电加热控制方法、控制器及空调器”的专利，公开号CN...
南都电源：1月29日融资买入3956.28万元，融资融券余额9.43亿元
证券之星消息，1月29日，南都电源（300068）融资买入3956.28万元，融资偿还6685.59万元，融资净卖出2729.3万元，融资余额9.42亿元。 ...
中国一汽申请域融合控制器模式转换电源管理系统专利，实现低功耗
国家知识产权局信息显示，中国第一汽车股份有限公司申请一项名为“域融合控制器模式转换电源管理系统和车辆”的专利，公开号CN121404159A，申请日期为2025...
苏州能率电子申请电源板原材切割装置专利，定位重复精度更高
国家知识产权局信息显示，苏州能率电子科技有限公司申请一项名为“一种电源板生产用原材切割装置”的专利，公开号CN121403474A，申请日期为2025年10月。...
金凯达取得嵌入式智能立库上料装置专利，能够满足管材或棒材上料的同时进一步降低高度
国家知识产权局信息显示，苏州金凯达机械科技股份有限公司取得一项名为“一种嵌入式智能立库的上料装置”的专利，授权公告号CN223848719U，申请日期为2025...
阳光电源：港股上市正在积极推进中
证券之星消息，阳光电源(300274)01月30日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者：董秘你好，请问港股预计什么时候上市？上市流程走到那一步了？ ...
德克萨斯仪器取得用于步进马达驱动器的改进电流感测和调节专利
国家知识产权局信息显示，德克萨斯仪器股份有限公司取得一项名为“用于步进马达驱动器的改进的电流感测和调节”的专利，授权公告号CN114503423B，申请日期为2...
阳光电源（300274）1月29日主力资金净卖出17.87亿元
证券之星消息，截至2026年1月29日收盘，阳光电源(300274)报收于146.28元，下跌4.33%，换手率5.57%，成交量88.48万手，成交额130....
美光科技取得基于电压的随机数产生技术专利
国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为“用于基于电压的随机数产生的设备、系统和方法”的专利，授权公告号CN114077421B，申请日期为2021年6...
2026工业变频电源厂家推荐 交流恒流源\中频电源\变频电源
2026工业变频电源优质厂家推荐榜一、行业背景与选型痛点 根据《2025-2030年工业电源行业发展白皮书》数据，全球工业变频电源市场规模预计在2030年突破...
阳光电源：公司一直在推动微网系统项目
证券之星消息，阳光电源(300274)01月30日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提问：公司是否有新标准的微电网技术落地？公司预计2026年储能...
科力美申请高压电缆绝缘材料组合物专利，协同解决高压直流电场下的空间电荷积累和局部放电问题
国家知识产权局信息显示，山东科力美实业有限公司申请一项名为“高压电缆的绝缘材料组合物及其制备方法和应用”的专利，公开号CN121406044A，申请日期为202...
领充新能源取得Y电容模拟测试电路专利
国家知识产权局信息显示，领充新能源科技有限公司取得一项名为“一种Y电容模拟测试电路、方法、系统及装置”的专利，授权公告号CN115840090B，申请日期为20...
奥来德申请含硼氮有机化合物专利，最终实现OLED器件驱动电压降低、效率提高及寿命延长
国家知识产权局信息显示，吉林奥来德光电材料股份有限公司申请一项名为“一种含硼氮有机化合物及包含其的有机电致发光器件”的专利，公开号CN121405734A，申请...
图文详解丨等电位连接作用与施工
等电位连接是将建筑物内的金属构架、金属装置、电气设备不带电的金属外壳和电气系统的保护导体等与接地装置做可靠的电气连接。用作等电位连接的保护线称为等电位连接线。 ...
真芯半导体取得用于半导体器件的薄膜及其制造方法专利
国家知识产权局信息显示，真芯（北京）半导体有限责任公司取得一项名为“一种用于半导体器件的薄膜及其制造方法、半导体器件”的专利，授权公告号CN114792623B...
我国科研团队在二维半导体领域取得新进展
随着硅基芯片性能逼近物理极限，全球科学家正在寻找替代方案，以二硫化钼为代表的二维半导体就是其中之一。30日，国际顶级学术期刊《科学》在线发表南京大学王欣然、李涛...