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触点无限取得吸波结构体和电子设备专利，改善电子设备的无线接收性能
国家知识产权局信息显示，杭州触点无限科技有限公司取得一项名为“一种吸波结构体和电子设备”的专利，授权公告号CN224069030U，申请日期为2024年12月。...
上海集迦电子取得用于晶圆的高效镀膜设备专利
国家知识产权局信息显示，上海集迦电子科技有限公司取得一项名为“一种用于晶圆的高效镀膜设备”的专利，授权公告号CN121250313B，申请日期为2025年12月...
SK海力士股价下跌5.6%，三星电子股价下跌3%
每经AI快讯，3月31日，SK海力士股价下跌5.6%，三星电子股价下跌3%。 每日经济新闻
太平洋：给予鸿远电子买入评级
太平洋证券股份有限公司马浩然近期对鸿远电子进行研究并发布了研究报告《产品结构持续拓展，新兴领域积极布局》，给予鸿远电子买入评级。 鸿远电子(603267) 事件...
小米取得电路板组件及电子设备专利，有利于电子设备内部结构的紧凑化设计
国家知识产权局信息显示，北京小米移动软件有限公司取得一项名为“一种电路板组件及电子设备”的专利，授权公告号CN224068851U，申请日期为2025年1月。 ...
荣耀终端取得图像选取方法及电子设备专利
国家知识产权局信息显示，荣耀终端股份有限公司取得一项名为“图像选取方法及电子设备”的专利，授权公告号CN120448568B，申请日期为2024年1月。 天眼查...
安华高取得具有增强导通电阻及击穿电压的基于鳍的场效应晶体管专利
国家知识产权局信息显示，安华高科技股份有限公司取得一项名为“具有增强导通电阻及击穿电压的基于鳍的场效应晶体管(FINFET)装置”的专利，授权公告号CN1158...
西安罗格石油仪器取得煤层气电子压力计专利，解决了电子压力计在煤层气井下易发生密封失效的问题
国家知识产权局信息显示，西安罗格石油仪器有限公司取得一项名为“一种煤层气电子压力计”的专利，授权公告号CN224064338U，申请日期为2025年5月。 专利...
迅敏电子取得电子设备保护壳和键盘专利，提高了电子设备的保护壳的导电效果
国家知识产权局信息显示，东莞市迅敏电子科技有限公司取得一项名为“一种电子设备的保护壳和键盘”的专利，授权公告号CN224067176U，申请日期为2025年4月...
百亨电子取得并联端子型水泥电阻器专利
国家知识产权局信息显示，深圳市百亨电子有限公司取得一项名为“并联端子型水泥电阻器”的专利，授权公告号CN120854092B，申请日期为2025年7月。 天眼查...
复旦微电子申请存储器单元及其形成方法、存储器阵列专利，有效降低字线层电阻
国家知识产权局信息显示，上海复旦微电子集团股份有限公司申请一项名为“存储器单元及其形成方法、存储器阵列”的专利，公开号CN121751643A，申请日期为202...
友讯达取得电表继电器寿命评估方法及系统专利
国家知识产权局信息显示，深圳友讯达科技股份有限公司取得一项名为“一种电表继电器寿命评估方法及系统”的专利，授权公告号CN121559308B，申请日期为2026...
美光科技取得存储器装置中的联合单层级单元验证专利
国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为“存储器装置中的联合单层级单元验证”的专利，授权公告号CN115775581B，申请日期为2022年9月。 声明...
英特尔申请具有安装孔中的电感器的印刷电路板专利，构建到印刷电路板的安装孔中和/或周围的电压调节器的电感器
国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“具有安装孔中的电感器的印刷电路板”的专利，公开号CN121751487A，申请日期为2025年9月。 专利摘要显...
意法半导体取得结势垒二极管和肖特基二极管的形成以及MPS器件专利
国家知识产权局信息显示，意法半导体股份有限公司取得一项名为“结势垒二极管和肖特基二极管的形成以及MPS器件”的专利，授权公告号CN115841947B，申请日期...
长江存储取得具有垂直晶体管的存储器器件专利
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司取得一项名为“具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法”的专利，授权公告号CN116075928B，申请日期为20...
福建慧芯激光取得具有复合式本征区的长波长PIN光电二极管专利
国家知识产权局信息显示，福建慧芯激光科技有限公司取得一项名为“一种具有复合式本征区的长波长PIN光电二极管及其制备方法”的专利，授权公告号CN121419348...
行业首创！鹿明MOS凭多个“第一”，破解工业重载搬运难题
工业重载搬运的“痛点”，终于有了破解之法！近日，鹿明机器人传来重磅消息，其核心产品全球首个双臂负载50kg的轮臂式机器人MOS，凭借多个“行业第一”的硬核实力，...
芯联先锋申请MOS管栅极漏电流测试电路专利，能够实现飞安量级的待测MOS管的栅极漏电流的检测
国家知识产权局信息显示，芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司申请一项名为“MOS管栅极漏电流的测试电路、方法及测试系统”的专利，公开号CN121741431A，...
费城半导体指数涨幅扩大至1%，AMD涨3%
钛媒体App 3月30日消息，费城半导体指数涨幅扩大至1%，成分股中，AMD一度涨3%。（科股宝播报）