复旦微电子申请存储器单元及其形成方法、存储器阵列专利，有效降低字线层电阻_资讯

复旦微电子申请存储器单元及其形成方法、存储器阵列专利，有效降低字线层电阻

创始人

2026-03-31 13:14:10

0次

国家知识产权局信息显示，上海复旦微电子集团股份有限公司申请一项名为“存储器单元及其形成方法、存储器阵列”的专利，公开号CN121751643A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，一种存储器单元及其形成方法、存储器阵列，其中存储器单元包括：衬底；位于有源区上的第一浮栅结构和第二浮栅结构；位于第一浮栅结构和第二浮栅结构表面的阻挡层；位于有源区内的共源层、第一漏层和第二漏层；位于衬底上的字线层，字线层覆盖第一浮栅结构和第二浮栅结构；第一位线层，第一位线层与第一漏层电连接；第二位线层，第二位线层与第二漏层电连接。相邻的第一浮栅结构和第二浮栅结构共用1条字线层，使得字线层具有更大的形成空间，以此增大字线层的体积，进而有效降低字线层电阻。另外字线层的体积增大，对第一浮栅结构和第二浮栅结构的控制能力增强，以此提升器件结构的耦合效应。存储器单元仅改变连接方案，可以与目前已有的产线进行融合。

天眼查资料显示，上海复旦微电子集团股份有限公司，成立于1998年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8214.273万人民币。通过天眼查大数据分析，上海复旦微电子集团股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目329次，财产线索方面有商标信息83条，专利信息424条，此外企业还拥有行政许可28个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业阵列字线投资单元位线存储器微电子结构专利有源区浮栅字线层线层

上一篇：友讯达取得电表继电器寿命评估方法及系统专利

下一篇：长江存储取得具有垂直晶体管的存储器器件专利

复旦微电子申请存储器单元及其形成方法、存储器阵列专利，有效降低字线层电阻

相关内容

热门资讯