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艾为微电子申请芯片保护电路专利,防止芯片损坏

国家知识产权局信息显示,成都艾为微电子科技有限公司申请一项名为“一种芯片保护电路、芯片和电子设备”的专利,公开号CN121663426A,申请日期为2025年1...

英伟达年度GTC大会召开,消费电子ETF易方达涨1.04%

截至3月16日13点40分,上证指数跌0.39%,深证成指跌0.00%,创业板指涨1.11%。ETF方面,消费电子ETF易方达(562950)涨1.04%,成分...

南玻A(000012.SZ):公司在绵阳无电子玻璃产线

格隆汇3月16日丨南玻A(000012.SZ)在投资者互动平台表示,公司在绵阳无电子玻璃产线。

南 玻A:公司在绵阳无电子玻璃产线

证券之星消息,南 玻A(000012)03月16日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提问:有自媒体宣传:南玻A绵阳产线“一次成型+激光减薄”工艺。...

三星电子股价上涨2.7%。

三星电子股价上涨2.7%。 来源:金融界AI电报

晶越半导体申请半绝缘碳化硅晶片退火装置及退火方法专利,实现大于1E12欧姆厘米电阻率的控制

国家知识产权局信息显示,浙江晶越半导体有限公司申请一项名为“一种半绝缘碳化硅晶片退火装置及退火方法”的专利,公开号CN121653844A,申请日期为2025年...

三一硅能申请太阳能电池片接触电阻率测试方法专利,能够准确获取太阳能电池片的接触电阻率

国家知识产权局信息显示,三一硅能(株洲)有限公司申请一项名为“太阳能电池片的接触电阻率测试方法、装置及电子设备”的专利,公开号CN121666037A,申请日期...

爱思开海力士申请具有电感器的半导体存储器装置专利,电感器设置在多个下部布线层中的至少一个中并与输入/输出焊盘竖直重叠

国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“具有电感器的半导体存储器装置”的专利,公开号CN121665577A,申请日期为2025年3月。 专利...

厦门半导体申请存储器及其控制方法专利,提高读取的精确度

国家知识产权局信息显示,厦门半导体工业技术研发有限公司申请一项名为“一种存储器及其控制方法”的专利,公开号CN121662119A,申请日期为2025年12月。...

2026年热门的单片机定制开发源头厂家

在2026年,单片机定制开发领域竞争激烈,众多源头厂家各展所长,为不同行业的客户提供着优质的产品和服务。其中,北京通微科技有限公司在这个领域表现出色,值得在热门...

山东云宇机械申请基于嵌入制动系统的后桥齿轮箱总成装置专利,提高了后桥齿轮箱总成装置的传动输送效果

国家知识产权局信息显示,山东云宇机械集团有限公司申请一项名为“基于嵌入制动系统的后桥齿轮箱总成装置和使用方法”的专利,公开号CN121654723A,申请日期为...

阳光电源:3月13日融券净卖出4.7万股,连续3日累计净卖出5.65万股

证券之星消息,3月13日,阳光电源(300274)融资买入22.27亿元,融资偿还24.37亿元,融资净卖出2.1亿元,融资余额131.16亿元。 融券方面,...

领普科技申请人体检测装置专利,实现光能电源储能信息的代理上报

国家知识产权局信息显示,武汉领普科技有限公司申请一项名为“人体检测装置”的专利,公开号CN121657154A,申请日期为2025年11月。 专利摘要显示,本公...

双路二合一恒电位仪为何适合长输管道保护?

双路二合一恒电位仪因其冗余设计、高精度控制、抗干扰能力及智能化管理特性,高度适配长输管道保护需求,具体分析如下: 1. 冗余设计保障系统连续性,解决长输管道维护...

一巨自动化申请集成输入保护与功耗管理的电源管理系统专利,防止电源反接和抑制浪涌电压

国家知识产权局信息显示,一巨自动化装备(上海)有限公司申请一项名为“一种集成输入保护与功耗管理的电源管理系统”的专利,公开号CN121663423A,申请日期为...

澳柯玛云联申请半导体器件及其制备方法专利,提高击穿电压

国家知识产权局信息显示,青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利,公开号CN121665669A,申请日期为2024年8月。 ...

广州五山材料科技申请基于电荷自吸引的海洋固井用水下不分散水泥浆体系专利,迅速形成有效强度

国家知识产权局信息显示,广州五山材料科技有限公司申请一项名为“一种基于电荷自吸引的海洋固井用水下不分散水泥浆体系及其制备方法”的专利,公开号CN12165177...

西部超导:3月13日融资买入1.31亿元,融资融券余额20.99亿元

证券之星消息,3月13日,西部超导(688122)融资买入1.31亿元,融资偿还1.65亿元,融资净卖出3400.54万元,融资余额20.78亿元,近20个交易...

杭州镓仁半导体申请新型氧化物异质结生产方法专利,大大提升氧化镓器件性能

国家知识产权局信息显示,杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为“新型氧化物异质结的生产方法、新型晶体管及透明器件”的专利,公开号CN121665641A,申请日期为...

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