资讯

镜界光电取得防脱型丝印镜头圈专利,有效保证丝印镜头圈的长期稳定使用

国家知识产权局信息显示,宜春镜界光电有限公司取得一项名为“防脱型丝印镜头圈”的专利,授权公告号CN224054348U,申请日期为2025年6月。 专利摘要显示...

艾为微电子申请振荡器电路专利,降低振荡器功耗

国家知识产权局信息显示,成都艾为微电子科技有限公司申请一项名为“振荡器电路、振荡器和芯片”的专利,公开号CN121749904A,申请日期为2025年12月。 ...

虹跃光电取得轻型防水光电吊舱结构专利,保障吊舱长期稳定运行

国家知识产权局信息显示,深圳虹跃光电有限公司取得一项名为“一种轻型防水光电吊舱结构”的专利,授权公告号CN224054338U,申请日期为2025年6月。 专利...

股票行情快报:中富电路(300814)3月30日主力资金净卖出8074.20万元

证券之星消息,截至2026年3月30日收盘,中富电路(300814)报收于82.46元,下跌1.43%,换手率3.29%,成交量6.3万手,成交额5.12亿元。...

美亚光电最新公告:2025年净利润7.19亿元同比增长10.77%

美亚光电(002690.SZ)披露年度报告,公司2025年实现营业收入24.07亿元,同比增长4.16%;归母净利润7.19亿元,同比增长10.77%。公司20...

亚威艾欧斯申请有机发光二极管屏幕端子区撕膜装置及撕膜方法专利,提高撕膜精度

国家知识产权局信息显示,江苏亚威艾欧斯激光科技有限公司申请一项名为“一种有机发光二极管屏幕端子区撕膜装置及撕膜方法”的专利,公开号CN121734770A,申请...

六大IC设计厂,酝酿涨价

调幅最高20%。 在半导体产业的“一片涨声”中,IC设计也开始酝酿涨价。业内消息称,矽创、奕力、联咏、天钰、瑞鼎、敦泰等六大厂已有相关涨价消息,部分产品涨幅最高...

厦门信达:法院冻结三安集团所持三安光电股票

钛媒体App 3月30日消息,厦门信达公告称,近日收到福建省厦门市中级人民法院下发的《财产保全告知书》,法院已依法采取保全措施,首封冻结三安集团持有的三安光电无...

山东海纳智能装备申请基于传感器布置的带式输送机智能状态监测系统专利,提高基于传感器布置的带式输送机智能状态监测的准确率

国家知识产权局信息显示,山东海纳智能装备科技股份有限公司申请一项名为“基于传感器布置的带式输送机智能状态监测系统”的专利,公开号CN121734902A,申请日...

万顺新材:取得一项电子材料领域发明专利

3月30日,万顺新材(300057)发布公告称,公司及全资子公司汕头万顺新材兆丰林科技有限公司于近日获得国家知识产权局颁发的一项发明专利证书。 根据公告,本次...

得安电力取得防摔型接地线成组直流电阻测试仪专利,提升装置掉落之后的抗震效果

国家知识产权局信息显示,江苏得安电力检测有限公司取得一项名为“一种防摔型接地线成组直流电阻测试仪”的专利,授权公告号CN224052299U,申请日期为2025...

40 ns & 10 MHz:一颗中国“芯”凭TMR技术交出高频电流传感新答案

当第三代半导体将电力电子系统的开关频率推至MHz时代,电流检测环节却成了整个系统的“速度瓶颈”,行业亟待一场感知革命。 安徽希磁科技股份有限公司(以下简称“希磁...

MCP1825 500mA低压差(LDo)线性稳压器的简述

MCP1825/MCP1825S是一款500mA低压差(LDo)线性稳压器,可提供高电流和低输出电压。MCP1825有固定或可调输出电压版本,输出电压范围为0....

展讯半导体申请图像锐化方法专利,提高了锐化效果

国家知识产权局信息显示,展讯半导体(南京)有限公司申请一项名为“图像锐化方法、装置、设备、介质和产品”的专利,公开号CN121746241A,申请日期为2025...

华金证券给予光力科技"增持"评级,整机/核心零部件/耗材闭环,受益AI深化及半导体自主可控

每经AI快讯,华金证券3月30日发布研报称,给予光力科技(300480.SZ,最新价:28.32元)"增持"评级。评级理由主要包括:1)AI带动扩产增量&国内半...

天威保变申请外置式变压器调压装置专利,使原本不具备电压调节功能的变压器具备电压调节功能

国家知识产权局信息显示,保定天威保变电气股份有限公司申请一项名为“一种外置式变压器调压装置”的专利,公开号CN121748114A,申请日期为2026年1月。 ...

超导概念板块3月30日涨2.91%,永鼎股份领涨,主力资金净流入14.09亿元

证券之星消息,3月30日超导概念板块较上一交易日上涨2.91%,永鼎股份领涨。当日上证指数报收于3923.29,上涨0.24%。深证成指报收于13726.19,...

福顺半导体申请基于JUNO系统的三合一MOS晶圆快速测试方法专利,提升测试效率与准确率

国家知识产权局信息显示,福建福顺半导体制造有限公司申请一项名为“一种基于JUNO系统的三合一MOS晶圆快速测试方法及装置”的专利,公开号CN121741437A...

存储芯片价格有望回落!三星西安厂技术突破,量产 236 层 3D NAND

3 月 30 日,三星电子官宣,西安晶圆厂完成工艺升级,第八代 V-NAND(V8,236 层堆叠)3D NAND 闪存正式实现量产,这是目前全球最高堆叠层数的...

星核半导体申请自定心安装治具专利,大大提升了装夹效率

国家知识产权局信息显示,深圳市星核半导体材料技术有限公司申请一项名为“一种自定心安装治具”的专利,公开号CN121733467A,申请日期为2025年12月。 ...

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华为取得功率变换器及不间断电源... 国家知识产权局信息显示,华为技术有限公司取得一项名为“功率变换器及不间断电源”的专利,授权公告号CN...
采用先进的沟槽制造工艺与设计的... P沟道MOS晶体管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管,属于电路元件类别,其结构以n型硅衬底为基础,通...
京东方申请显示模组专利,调整输... 国家知识产权局信息显示,京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司申请一项名为“一种显示...
加纳野外工地专用稳压器 270... 加纳野外基建、偏远矿区、野外施工工地的用电环境最为恶劣,大多依托临时线路、柴油发电机供电,电压波动毫...
深创超导取得用于高温超导高频率... 国家知识产权局信息显示,深创超导(深圳)科技有限公司取得一项名为“一种用于高温超导高频率电化学抛光装...
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宏微科技取得功率半导体模块液冷... 国家知识产权局信息显示,江苏宏微科技股份有限公司取得一项名为“功率半导体模块液冷散热板及散热模块”的...