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单片机技术应用实训考核装置,计算机控制技术实验平台
DPJ-01单片机技术应用实训考核装置 单片机技术应用实训考核装置-根据职业教育课程改革和教材建设规划要求及教学和实训要求研发。用于大专院校及中职业技术学校的信...
上海电气富士电机取得功率单元及变频器专利，降低杂散电感导致的开关损耗
国家知识产权局信息显示，上海电气富士电机电气技术有限公司取得一项名为“功率单元及变频器”的专利，授权公告号CN224204967U，申请日期为2025年5月。 ...
捷蒽微半导体取得集成补偿电感的电感式稳压器和电源模块专利，使电感式稳压器的结构更加简洁
国家知识产权局信息显示，捷蒽微半导体（上海）有限公司取得一项名为“一种集成补偿电感的电感式稳压器和电源模块”的专利，授权公告号CN224164768U，申请日期...
新川电子取得功率电感引脚裁切机构专利，有效避免电感器被挤压损坏
国家知识产权局信息显示，南充新川电子科技有限公司取得一项名为“一种功率电感引脚裁切机构”的专利，授权公告号CN224195819U，申请日期为2025年6月。 ...
业展电子申请采样电阻及其生产工艺专利，可避免电阻体直接脱落
国家知识产权局信息显示，深圳市业展电子有限公司申请一项名为“一种采样电阻及其生产工艺”的专利，公开号CN121938737A，申请日期为2026年1月。 专利摘...
中科毕普拉斯取得高致密度贴片电感坯体制备方法专利
国家知识产权局信息显示，宁波中科毕普拉斯新材料科技有限公司取得一项名为“一种高致密度贴片电感坯体的制备方法与系统”的专利，授权公告号CN115831588B，申...
京东方华灿光电申请发光二极管及其制备方法专利，减低发光二极管的亮度
国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121968824A，申请日期为2025年12月。...
杰赛科技取得提高埋电阻印制板阻值稳定性方法专利
国家知识产权局信息显示，珠海杰赛科技有限公司、广州杰赛电子科技有限公司取得一项名为“一种提高埋电阻印制板阻值稳定性方法”的专利，授权公告号CN121547961...
马维尔申请用液态热界面材料封装电子器件专利，将热量从IC管芯传导到盖
国家知识产权局信息显示，马维尔亚洲私人有限公司申请一项名为“用液态热界面材料封装电子器件”的专利，公开号CN121986604A，申请日期为2024年10月。 ...
美的取得电感模组专利可减小电感模组在电路板上的占用面积
国家知识产权局信息显示，广东美的暖通设备有限公司;美的集团股份有限公司取得一项名为“电感模组、电路组件、电控散热结构、室外机和暖通系统”的专利，授权公告号CN2...
宏发电力电器申请继电器专利，改善继电器在骤冷环境下的使用效果
国家知识产权局信息显示，厦门宏发电力电器有限公司申请一项名为“继电器”的专利，公开号CN121905747A，申请日期为2024年10月。 专利摘要显示，本申请...
沈阳铁路信号取得铁路信号继电器触点状态判断电路专利
国家知识产权局信息显示，沈阳铁路信号有限责任公司取得一项名为“一种铁路信号继电器触点状态判断电路”的专利，授权公告号CN116804699B，申请日期为2023...
ARM申请控制对存储器块的访问专利，存储器保持安全
国家知识产权局信息显示，ARM有限公司申请一项名为“控制对存储器块的访问”的专利，公开号CN121925643A，申请日期为2024年8月。 专利摘要显示，供了...
光鼎电子取得发光二极管支架点胶装置专利，提高了发光二极管的上料效率
国家知识产权局信息显示，连云港光鼎电子有限公司取得一项名为“一种发光二极管支架点胶装置”的专利，授权公告号CN224181231U，申请日期为2025年4月。 ...
国网陕西电力申请瞬态能量作用后碳陶瓷电阻恢复电阻测量方法专利，揭示碳陶瓷电阻导通链随温度变化的规律
国家知识产权局信息显示，国网陕西省电力有限公司电力科学研究院;西安交通大学;国网陕西省电力有限公司申请一项名为“一种瞬态能量作用后碳陶瓷电阻恢复电阻测量方法和测...
维安半导体取得无BOOT引脚单片机在线编程升级专利
国家知识产权局信息显示，上海维安半导体有限公司取得一项名为“一种无BOOT引脚单片机的可在线编程升级系统及方法”的专利，授权公告号CN116185451B，申请...
武汉维擎科技申请基于AI的IC载板自动Emapping方法专利，便于提高IC载板自动Emapping的准确性
国家知识产权局信息显示，武汉维擎科技有限公司申请一项名为“一种基于AI的IC载板自动Emapping的方法”的专利，公开号CN121963214A，申请日期为2...
天狼芯半导体取得应用于HEMT的二极管器件专利
国家知识产权局信息显示，天狼芯半导体（成都）有限公司取得一项名为“一种应用于HEMT的二极管器件、制备方法及HEMT”的专利，授权公告号CN115602711B...
力晶积成取得具有温度依存性的半导体存储器专利
国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司取得一项名为“具有温度依存性的半导体存储器”的专利，授权公告号CN115295038B，申请日期为2021年...