华虹半导体申请改善闪存存储单元均匀性方法专利，有效改善了浮栅表面粗糙度_资讯

华虹半导体申请改善闪存存储单元均匀性方法专利，有效改善了浮栅表面粗糙度

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2026-09-04 08:53:45

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“改善闪存存储单元均匀性的方法”的专利，公开号CN122699369A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明提供一种改善闪存存储单元均匀性的方法。该方法包括：在半导体衬底上依次形成浮栅材料层和覆盖介质层，以覆盖介质层作为硬掩模；进行有源区刻蚀和浅槽隔离间隙填充；通过化学机械抛光去除硬掩模，并进行浮栅表面平坦化；进行光刻和刻蚀，以降低浅槽隔离的高度。本发明通过使用覆盖氧化物代替氮化硅作为硬掩模，利用抛光工艺原位去除硬掩模并平坦化浮栅表面，有效改善了浮栅表面粗糙度，提升了存储单元均匀性。同时，该方法简化了工艺流程，降低了生产成本，并利用负载效应优化了外围电容极板厚度，扩大了后续工艺窗口，提升了器件性能。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2951次，专利信息2143条，此外企业还拥有行政许可119个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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