格恩半导体取得半导体发光二极管专利提升量子局限效应
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2026-09-04 09:30:59
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国家知识产权局信息显示，格恩半导体（安徽）股份有限公司取得一项名为“一种半导体发光二极管”的专利，授权公告号CN116705930B，申请日期为2023年3月。
天眼查资料显示，格恩半导体（安徽）股份有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8878.0327万人民币。通过天眼查大数据分析，格恩半导体（安徽）股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息545条，此外企业还拥有行政许可13个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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