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芯联先锋申请半导体结构及其制备方法专利，能够有效降低器件的漏电与击穿风险

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2026-09-02 20:30:33

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国家知识产权局信息显示，芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN122679696A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：衬底，具有第一导电类型；阱区，位于衬底中，具有第二导电类型；浅沟槽隔离结构，将阱区分隔为位于浅沟槽隔离结构两侧的第一子阱区和第二子阱区以及位于浅沟槽隔离结构下方且连通第一子阱区和第二子阱区的第三子阱区；源极区和漏极区，位于第一子阱区中且间隔设置，源极区和漏极区均具有第一导电类型；栅极结构，位于衬底上，且位于源极区和漏极区之间；栅极结构与源极区和漏极区构成晶体管结构；拾取接触插塞，位于衬底上且与第二子阱区导电连接，拾取接触插塞与第二子阱区构成拾取结构。如此，能够有效降低器件的漏电与击穿风险，显著提升器件的良率与可靠性。

天眼查资料显示，芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司，成立于2021年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1329244.16万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目74次，专利信息137条，此外企业还拥有行政许可25个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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