海纳半导体申请差分电容式差压传感器及其制造方法专利，确保两个差压敏感膜的一致性_资讯

海纳半导体申请差分电容式差压传感器及其制造方法专利，确保两个差压敏感膜的一致性

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2026-08-20 11:17:33

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国家知识产权局信息显示，海纳半导体（深圳）有限公司申请一项名为“一种差分电容式差压传感器及其制造方法”的专利，公开号CN122591129A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明提供一种差分电容式差压传感器及其制造方法，涉及微机电系统（MEMS）的技术领域，包括衬底、差压敏感电容；差压敏感电容包括差压敏感膜、下极板、通孔、支撑体，差压敏感电容包括差压敏感膜、上极板、通孔、支撑体。差压敏感电容和差压敏感电容形成差分电容结构。本发明的制造方法是采用两个SOI基片利用MEMS工艺制造一种差分电容式差压传感器，两个差压敏感膜利用SOI基片硅膜刻蚀制成，厚度一样，形状一样，确保了两个差压敏感膜的一致性，同时利用氧化工艺确保了电容间距的准确性。

天眼查资料显示，海纳半导体（深圳）有限公司，成立于2025年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，海纳半导体（深圳）有限公司专利信息1条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法海纳差分投资半导体电容式传感器专利极板基片差压敏感膜电容通孔

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